激光切割设备

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浇铸多晶硅片比重上升 单体电池成本下降来源: 发布时间:2009-02-11 11:13:59

、多晶硅电池片平均效率分别可达17%和15.8%。 决定电池效率的因素主要分散在电池生产的各道工艺环节当中,从硅棒生长、切割,到电池的制备。就电池制备而言,又先后经历制绒清洗、扩散、镀膜
、丝网印刷和烧结等工艺。 制绒清洗工艺是以湿法工艺为主,设备不贵,槽式批次式生产。在线连续式生产设备目前主要依靠进口,价格昂贵,但可节约生产材料。 扩散工艺以管式扩散炉为主,也

中国将是薄膜太阳能电池的“世界工厂”来源: 发布时间:2008-12-11 16:06:59

Oerlikon作为全球首家提供薄膜太阳能模块Turn-Key服务的厂商,其薄膜太阳能电池组件技术方案采用了非晶硅和微晶硅叠层薄膜技术,提供包括导电玻璃(TOC)制作,PECVD淀积,激光切割
和平板显示行业相比,薄膜太阳能电池的设备和资金的要求、技术门槛值都比较低,如果我们的目标是0.7美金每瓦的话,中间肯定有一个甜点位置,关键看你怎么做。编辑::能否分析一下薄膜太阳能电池的技术走向?孙

Rofin-Sinar与Manz共同开发新型光伏设备来源:Cleantech 发布时间:2008-09-02 22:26:25

生产设备,并实现两项技术的联合:采用激光融损电池片的边缘与使用激光切割薄膜太阳能电池组件。 Rofin-Sinar和Manz Automation两公司希望通过此次生产工艺的改进,降低生产成本

SYNOVA收获欧洲太阳能晶圆合资企业的创纪录订单来源:Solarbe.com 发布时间:2008-07-22 23:18:15

切片是Synova 微水刀激光技术的新应用领域,为传统方法(尤其是传统激光)提供了更优质选择。与传统激光切割效果相比,Synova 的LMJ方法的切割流程磨损较低,而且不会因为热害、微裂纹和毛刺而削弱

SYNOVA微水刀激光技术获欧洲太阳能晶圆创纪录订单来源: 发布时间:2008-07-09 11:51:59

是Synova 微水刀激光技术的新应用领域,为传统方法(尤其是传统激光)提供了更优质选择。与传统激光切割效果相比,Synova 的LMJ方法的切割流程磨损较低,而且不会因为热害、微裂纹和毛刺而削弱

08年电力设备业研究报告:太阳能行业前景广阔来源: 发布时间:2008-03-31 10:24:59

多晶硅太阳能电池是直接从硅液中拉出多晶带作为电池的基体材料,然后用激光切割成方形太阳能电池基片。带状多晶硅常称为半晶硅,平均效率已突破10%,采用硅筒法带状多晶硅太阳能电池效率已达到12-15%,具备
非晶硅薄膜,可吸收阳光中的大部分可见光,对可见光灵敏。制造玻璃硅的能耗小,设备比较简单。容易制成联式复合结薄膜太阳能电池,以提高效率。易于形成连续的大规模生产线。非晶硅太阳能电池效率已达14.6%。目前

孚日股份:亚洲唯一薄膜太阳电池项目奠基来源:Solarbe.com 发布时间:2008-02-25 13:38:45

预制层再硒化、硫化”法能源消耗很小,更适合大规模生产,符合国家减排降耗的产业政策。CIGSSe薄膜太阳电池组件采用激光切割溅射透明导电膜方式联接,与晶体硅电池片焊带联接方式相比,可靠性高,碎片率更低
已完成了采用“溅射金属预制层再硒化、硫化”工艺路线、设计产能为60MW/年的厂房建设和首期30MW生产设备的安装调试,并已于2007年9月正式投产。与其它采用类似工艺的公司相比,CIGSSe(铜铟镓硫

成本优势凸显 薄膜太阳能电池产业提速来源: 发布时间:2008-01-19 10:06:59

各层厚度及均匀性,改善各层之间界面状态。而对薄膜硅太阳能电池,集成型非晶硅太阳能电池的激光切割的使用有效面积达90%以上,目前大面积大量生产的硅薄膜太阳能电池的光电转换效率为5%-8%。研发的领域主要
膜的工艺和设备,目前通常做法是采用TFT-LCD工艺中用于薄膜晶体管生产的设备,来生产薄膜硅太阳能电池。美国、欧洲和日本的半导体设备供应商,都在积极努力角逐这一市场。从5代线(基板规格1.1米×1.3

Synova与Manz Automation合推光伏电池边缘来源:联合新闻网 发布时间:2007-09-06 09:35:47

系统与组件供货商Manz Automation与微水刀激光科技商Synova,共同发表ILE 2400内置式雷射边缘隔离系统。该套系统将运用在单晶与多晶太阳能电池的光伏制造过程。 ILE
2400系统整合了Synova的Laser MicroJet专利微水刀激光技术,能够协助制造商隔离光伏特组件的边缘以避免短路。该款内置式全自动化系统能满足多种制造工具的需求,增进太阳能电池的效率和良率

XSiL公司将上市用于超薄硅晶圆的激光切割来源:日经BP社 发布时间:2007-07-18 14:47:55

  爱尔兰XSiL公司在2007年国际半导体设备与材料展览会(SEMICON West 2007)(7月16日~20日,美国旧金山)举行的同时,上市硅晶圆专用的激光切割机。 前工序处理的
300mm(直径)硅晶圆的厚度一般为775m。而后工序处理的晶圆的厚度则不同,为了实现高密度封装,近来已减薄到了100m以下。此次XSiL公司将上市激光切割机X300D+的特点是:可在设备内部连续进行此前