瓦级钻石奖。
保利协鑫光伏芯高效多晶技术以最新一代鑫多晶S4为基底材料,应用金刚线切片技术大幅降低硅片加工成本,匹配以湿法黑硅技术,完美解决硅片制绒难题,使绒面结构非常接近直拉单晶产品
,从而大幅提高多晶的转换效率。
高效多晶技术的理想组合
据介绍,保利协鑫光伏芯高度集成了多项最新的多晶技术,不仅应用了保利协鑫的最新鑫多晶研发成果S4硅片,更结合了金刚线切割工艺和湿法黑硅技术,制备
%,硅片成本下降约15%(0.4-0.6元/片),保持多晶硅片在成本上的优势;黑硅技术则能有效提高组件功率,其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%,处于实验阶段的湿法(MCCE
。其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%,湿法(MCCE)黑硅可促进电池效率提高0.2%-0.4%。万博士引用数据指出,近年来单晶技术的多项进步使得成本大为降低,对以性价比优势主导
多晶硅片量产技术的成功研发,也顺利解决了断线、切割台速低、碎片率高等问题。 针对金刚线切多晶硅片表面损伤层浅、反射率高等问题,黑硅技术可以解决硅片的绒面难题,并大幅提升电池端转化效率。以湿法
显著改善多晶硅片的表面结构,并可以借助金刚线切片技术显著降低加工成本,而成为未来高效多晶技术的理想解决方案。其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%,湿法(MCCE)黑硅可促进
用于蚀刻发射级和脱蜡的湿法设备。通过采用伯努利爪子的自动化系统使得schmid喷墨打印机达到每小时3300片的产能。蜡立刻凝固,因此耗时方面得到了很大的改善。此外,蜡在刻蚀处理后很容易就可以被剥离
。
SCHMID集团掌握了很多关键技术例如湿法加工、热工过程和真空制程、印刷、金属镀层、光学测量技术和检验,激光技术以及自动化和内部物流。
由于这些技术的组合,SCHMID在自己的技术中心开发创新的
已经开始尝试其他的技术方案。其中,金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导,产生纳米微孔结构,增加对光的吸收,解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍
、领导力。 在最新一代鑫多晶s4上,除了晶体结构控制,保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中,金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导,产生纳米微孔结构
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外,晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发,开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching,MCCE
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。
除此之外,晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发,开始进入认证阶段。
随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低