s4上,除了晶体结构控制,保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中,金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导,产生纳米微孔结构,增加对光的吸收,解决了在金刚线
,保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中,金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导,产生纳米微孔结构,增加对光的吸收,解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外,晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发,开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
0.95%提升3.63pct,增幅较大。高性能湿法锂电隔膜、高附加值涂布膜2016 年有望逐步放量。新能源产业链火爆拉动锂电隔膜行业持续高成长(2015 年国内锂电隔产量增速50%),三元动力电池占比上
升拉动湿法制膜工艺需求。公司依靠多年在彩色胶卷、相纸行业积累了成膜、涂布、微粒等核心技术,定增拟投资3 亿建设1 条产能4000万平的高性能湿法锂电隔膜线,投资1.3 亿建设1500 万平陶瓷涂层改性隔膜
反射率,目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理,形成绒面
电池的金属化之前一般要涉及到打开接触孔/线的步骤。另外,N和P的接触孔区需要与各自的扩散区对准,否则会造成电池漏电失效。与形成交替相间的扩散区的方法相同,可以通过丝网印刷刻蚀浆料、湿法刻蚀或者激光等
离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术与湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching,MCCE)各据一方。除了能解决外观问题
吸引厂商加速导入黑硅技术的速度。然黑硅技术目前在干法与湿法黑硅技术都还有部分细节问题待市场验证,而今年陆续有一线大厂导入的干法黑硅技术,有望因为产业领导厂商的登高一呼而成为今年市场最火热的新技术。
资料显示,在2010年,国电科环占据中国PICS行业95.05%的市场份额。烟气湿法脱硫、海水脱硫、锅炉燃烧降氮及烟气脱硝技术始终保持国内领先地位。旗下环保品牌包括龙源环保、龙源技术、联合动力、朗新明