氧化铝

的一种，其具备成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、低温沉积等优点。2014年起，理想晶延开始布局高效光伏背钝化设备开发，采用国际先进的ALD(原子层沉积)技术，自主研发了氧化铝背钝化ALD设备
。 《科创板日报》记者了解到，增加背钝化层，可以降低背表面符合，提高背内面反射率，而常用的介质钝化材料除了氧化铝外，还包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化铝薄膜生长及工艺率先取得突破。 据了解，至

时曾出现了中国首富，接下来就是破产，但完全不影响后来的通威股份这样的企业在多晶硅的崛起，这种事情其实在氧化铝、电解铝行业非常普遍，很多公司看起来亏损非常严重，简直无法生存了，但是像魏桥、东方希望这样的

SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。 图6. 分步印刷示意图 SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的

相比，HIT 生产工艺大大简化，因此具备较大的产业化潜力。P-PERC 工艺需要 8-10 道工序步骤，工艺难点在于氧化铝钝化、激光开孔问题，国内代表企业有乐叶、晶科能源、阿特斯、晶澳科技

、铜靶、钼靶、铬靶以及 ITO 靶、AZO 靶(氧化铝锌)等，HIT电池主要使用ITO靶材作为其透明导电薄膜。 目前国内光伏电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主，薄膜电池以及HIT占比较低，但是从目前

。背钝化层主要采用氧化铝作为背钝化材料(氧化硅、氮氧化硅也可作为背钝化材料)， 氧化铝由于电荷密度较高，可降低背表面少子的复合速率，钝化效果较好，同时为保证电池背面的光学性能，还会 在氧化铝表面

的磷扩散机台)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制

)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制。 该设备平台

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
1.1 实验准备 1) 物料：采用p 型多晶硅片，尺寸规格为156.750.25 mm，厚度为190 m，电阻率为1～3 cm。 2) 化学品：时创PS30 抛光剂，台湾长阳IP1257-L 型氧化铝

perc+se 产线兼容，现有产线可升级改造至 TopCon产能。TopCon 生产流程分为 9 步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝