栅线

形式分，可分为单端式逆变器，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可
称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波

出发，此前的技术创新主要在两个方向上优化。第一是如何最大限度增加光吸收，提高光的使用效率，可称之为开源，目前采用的主要方式有增加抗反射层、减少栅线遮挡、采用黑硅及绒面减少光反射、全背面接触电池（IBC）等

、破锭、切片等程序后，制作成待加工的硅片。在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷等，就形成P－N结。然后采用丝网印刷，将精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂一层防反射涂层

的预测了。路线图中预测2018年初四栅线将超过三栅线成为市场主流，同时五栅线的市场份额不断增加。不过，未来几年最大的技术进步可能来自铜丝键合技术，比如梅耶博格公司(MeyerBurger)的

无锡尚德在单、多晶PERC最新研究进展作了全面的讲述：单晶硅片技术方面通过金刚线切片技术导入和硅片尺寸增大来提升；电池工艺方面通过表面浓度下降到2*1020/cm3和结深增加0.15um来优化电池扩散工艺
；通过匹配扩散低表面浓度/低温烧结和副栅线宽减小8-12um，高度增加2-3um来优化电池正面金属化工艺。这系列工艺的优化使得单间电池的最高效率达到21.31%。在组件段，单晶组件减小了电学损失和降低

的预测了。路线图中预测2018年初四栅线将超过三栅线成为市场主流，同时五栅线的市场份额不断增加。不过，未来几年最大的技术进步可能来自铜丝键合技术，比如梅耶博格公司（MeyerBurger）的

，整合的产品线有助于客户统一产线管理。DK91C 分布印刷正银浆料：灵活的接触性能和栅线高宽比设计满足客户定制化的需求，带来更具性价比的金属化解决方案。DK91D 高效两次印刷正银浆料：在窄至24um的

工艺、聚光焊带技术、先进玻璃镀膜技术等，都是为了提升产品发电效益。孙荣华介绍，与收集电池产生的光电转换能量、降低传输损耗相关的栅线工艺技术，对组件实现高效发电至关重要。我们计划在今年第四季度全面推广和
量产五棚线电池技术（5BB）。该技术可以有效将组件功率提升2瓦。孙荣华表示。与四栅线技术（4BB）相比，5BB可以提高组件的载荷能力，减少隐裂，降低功率损耗。在栅线宽度基本不变的同时，5BB配备了涂锡

，德国ISFH公布了他们的研究结果：根据电池片隐裂的形状，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。图1：晶硅电池隐裂形状2、隐裂对组件性能的影响不同的