晶硅生长炉
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参考文献：
1、协鑫CTO万跃鹏博士在第二届硅晶体生长技术交流会上的报告《铸锭技术继续发展的几个方向探讨 》;
2、张治雨先生《单晶硅片大尺寸路在何方》;
临近2018年底光伏新闻预测，大尺寸硅片+类单晶将在2019年迎来大爆发，大尺寸硅片将全面推广，类单晶硅片在部分铸锭企业量产。先推广的企业吃肉，紧随潮流的企业喝汤，后知后觉的企业买单。
一、铸锭
年、2016年连续亏损，2017年赚6702万，今年前三季度，公司营业收入同比下滑超93%，亏损了3010万元。 挖贝研究院资料显示，天龙光电是一家太阳能电池硅材料生产、加工企业，主要产品包括单晶硅生长炉、单晶硅切断机和单晶硅切方滚磨机等光伏设备。
上市公司股东的净利润为38,664.25万元。 日前，工信部与中国工业经济联合会联合公布了第三批制造业单项冠军企业和单项冠军产品名单，公司生产的全自动单晶硅生长炉入选单项冠军产品名单。在手订单保持高位
40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理。
2.1Al2O3厚度对硅片少子寿命的影响
为了
摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响。
0 引言
为了
政府补助收入，上年同期非经常性损益对净利润的影响金额为77万元。 据了解，天龙光电主要产品包括单晶硅生长炉、单晶硅切断机和单晶硅切方滚磨机等光伏设备。 天龙光电表示，2018年二季度开始，光伏市场
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
多晶硅片，电阻率为1～3cm，厚度为(20020)m，硅片尺寸为156mm156mm。氮化硅薄膜制备设备采用德国Centrotherm公司生产的管式低频PECVD设备，利用SE400advPV型椭偏仪测试
晶体生长技术，生产更高品质和更低成本的硅棒和硅锭，对光伏行业提升竞争力、早日实现发电侧平价上网就显得尤为重要。
记者从业内了解到，单晶拉棒技术正在从多次装料拉晶(RCz)向连续拉晶(CCz)过渡。由于
CCz需要高品质颗粒状多晶硅原料，CCz的推广将对中国光伏级多晶硅生产格局产生深远影响。CCz还需要寿命达到500小时的石英坩埚，高品质石英坩埚的国产化也是重要课题。
据业内人士介绍，CCz可有效降低
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
多晶硅片，电阻率为1～3cm，厚度为(20020)m，硅片尺寸为156mm156mm。氮化硅薄膜制备设备采用德国Centrotherm公司生产的管式低频PECVD设备，利用SE400advPV型椭偏仪测试
生产效率。国内成功研制全自动连续拉晶技术，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上
：2019年6月6日 15:00-22:00 展出内容(展品属类)： A、 光伏生产设备： 硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备 硅片晶圆生产设备： 全套生产线、切割
