晶硅生长炉

综合发展的集团化企业，主导产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备，多晶硅锭及硅片、直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低

年，捷佳伟创在中国半导体设备行业十强单位中销售收入排名第三,其设备类销售收入占国内太阳能电池设备(含晶硅材料加工生长设备和晶硅太阳能电池芯片制造设备)销售收入的29.66%, 占国内半导体设备(含

抽气设备之外还设置了压力检测装置，确保炉内压力在合适的范围之内，为多晶硅硅锭的生长提供良好的气氛。铸锭炉抽真空系统的具体设备有罗茨泵、比例阀旁路抽气系统和机械泵。 压力控制系统 根据多晶硅生产工艺的

单晶将成为融合单、多晶优势的跨界产品，拥有较高的性价比：以下主要从铸造单晶及其硅料成本、加工成本、质量四个方面进行描述： 一、铸造单晶 利用单晶硅为籽晶，通过铸锭炉生长的铸造单晶，制备的电池效率较

等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场，从而降低少数载流子浓度。 文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对

来源：太阳能杂志 摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响
四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷

抛光。 钝化膜 硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响，钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响，从而保证电池的效率。 晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和
采用Al2O3/SiNx双层结构。 图：晶硅光伏电池钝化 PERC电池工艺 目前业内 PERC电池技术路线基本上经历了三个阶段，第一阶段是在常规产线上直接进行升 级，效率可提升1

，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒

效率。国内成功研制全自动连续拉晶技术，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的

PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理
　　 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会