晶硅叠层太阳电池

行业悄然兴起。硅薄膜电池已逐渐具备产业爆发性增长的条件，有望超越其他种类的薄膜电池：1、硅薄膜电池技术成熟度高，发展路径清晰，使用叠层工艺将使转换效率及衰减问题不再突出；2、薄膜电池设备供应商快速崛起对行业
SolarFrontier，以及以硅基薄膜为代表的汉能控股公司中。3家公司产量约占全球薄膜电池产量的70%。全球主要薄膜电池生产商、著名薄膜电站资料来源：公开资料整理四、多晶硅薄膜太阳电池的发展状况薄膜电池

/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池◎ 聚光电池GaAs

索比光伏网讯:摘要：以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面

太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结

和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有

前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有多家

，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前

21.3%；2014年，经德国fraunhoferise权威认证，采用介质膜叠层背面钝化的156156平方毫米的单晶硅太阳电池效率达到21.4%，多晶硅电池效率达到20.8%，创造了新的世界纪录。天合光能

所有的单结晶硅太阳电池。表一中列出了近几年IBC电池技术的研究进展。美国的SunPower公司是产业化IBC电池技术的领导者，他们已经研发了三代IBC电池，最新的MaxeonGen3电池应用145um
和N+扩散区，前表面制备金字塔状绒面来增强光的吸收，同时在前表面形成前表面场（FSF）。前表面多采用SiNx的叠层钝化减反膜，背面采用SiO2、AlOx、SiNx等钝化层或叠层。最后在背面选择性

光伏有限公司40MW非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳能电池扩建项目在抓紧建设中；公司持有33.5%股权的欧贝黎新能源主要产品为125系列165-190W和156系列210-300W高效组件及转换效率为17.5%以上的太阳能电池片，主要市场为欧美澳韩等国家和地区。