晶硅叠层太阳电池

。太阳能组件作为太阳能发电装置的最重要组成部分，必须可靠耐用，并能持续数年生产电能。 光伏电站的质量问题由来已久，根据权威认证机构对国内已经在运行的多座大型晶硅组件光伏电站进行的质量检测，调查发现
光伏组件普遍存在各种质量问题，如热斑、隐裂和功率衰减等，对电站的发电量、KPI指标、电站收益及日常运行维护带来严重影响。 警惕电站隐形杀手 热斑效应被称为光伏组件四大火灾隐患之一。在实际使用太阳电池

行业悄然兴起。硅薄膜电池已逐渐具备产业爆发性增长的条件，有望超越其他种类的薄膜电池：1、硅薄膜电池技术成熟度高，发展路径清晰，使用叠层工艺将使转换效率及衰减问题不再突出；2、薄膜电池设备供应商快速崛起对行业
SolarFrontier，以及以硅基薄膜为代表的汉能控股公司中。3家公司产量约占全球薄膜电池产量的70%。全球主要薄膜电池生产商、著名薄膜电站资料来源：公开资料整理四、多晶硅薄膜太阳电池的发展状况薄膜电池

/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池◎ 聚光电池GaAs

索比光伏网讯:摘要：以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面

太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结

和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有

前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有多家

，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前

21.3%；2014年，经德国fraunhoferise权威认证，采用介质膜叠层背面钝化的156156平方毫米的单晶硅太阳电池效率达到21.4%，多晶硅电池效率达到20.8%，创造了新的世界纪录。天合光能

所有的单结晶硅太阳电池。表一中列出了近几年IBC电池技术的研究进展。美国的SunPower公司是产业化IBC电池技术的领导者，他们已经研发了三代IBC电池，最新的MaxeonGen3电池应用145um
和N+扩散区，前表面制备金字塔状绒面来增强光的吸收，同时在前表面形成前表面场（FSF）。前表面多采用SiNx的叠层钝化减反膜，背面采用SiO2、AlOx、SiNx等钝化层或叠层。最后在背面选择性