晶圆研发
（宁夏协鑫）在中卫工业园区成立，注册资本2.1亿元，专业致力于高效率单晶硅棒、12英寸大尺寸半导体晶圆等光伏及半导体产品的研发和生产。2015年6月18日，宁夏协鑫太阳能单晶硅棒项目正式动工建设，项目
截止技术，为要求较低传导及开关损耗的太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信设备、ESS，以及PFC应用提供较佳效能。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材指出，新一代太阳能逆变器在业界采用快捷TO247 4L封装
IGBT，运用IGBT晶圆及4L封装工艺新技术，该公司能够透过大幅提高驱动讯号的开关频率充分利用IGBT的特性，从而获得较佳的安全工作区，同时不会显着增加半导体的功耗。 此外，该公司还可以使用较小的磁性元件，从而显着减小系统尺寸并提高性价比。
表示热烈祝贺。在LED照明技术领域，硅衬底具有良好的导热性，且具有原材料成本低廉、晶圆尺寸大等优点，由晶能光电研发的硅衬底LED照明产品具有成本低廉、高功率和方向性更好的优势，不仅可以用于普通民用照明
知识产权的硅衬底LED技术的完整专利，并且由晶能光电率先把此项独创LED技术实现了产业化。因此，对此项技术荣获国家技术发明唯一一等奖，我深感荣幸，并对以江风益教授、孙钱博士和王敏博士为主导的研发团队
和商用逆变器的顶级制造商。由于使用了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号相比提高了20%。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示：我们的新一代太阳能逆变器在业
界率先采用Fairchild的TO2474L封装IGBT，通过使用IGBT晶圆和4L封装工艺新技术，我们能够通过大幅提高驱动信号的开关频率，充分利用IGBT的特性，从而获得卓越的安全工作区，而且
和商用逆变器的顶级制造商。由于使用了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号相比提高了20%。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示：我们的新一代太阳能逆变器在业
界率先采用Fairchild的TO2474L封装IGBT，通过使用IGBT晶圆和4L封装工艺新技术，我们能够通过大幅提高驱动信号的开关频率，充分利用IGBT的特性，从而获得卓越的安全工作区，而且
国家重点实验室研发的高效P型多晶硅（mc-Si）太阳能光伏电池效率再创世界纪录。其自主研发的156156mm2太阳能电池光电转换效率达21.25%。研发结果已经被德国弗赖堡弗劳恩霍夫太阳能系统
研究所（Fraunhofer ISE Cal Lab）检测确认。自主研发的156156mm2太阳能电池光电转换效率达21.25%。为了达到这一转换效率，天合光能在其高质量多晶硅衬底上，应用了先进的背面钝化技术
12月11日，保利协鑫公布，将与国家集成电路产业投资基金(以下简称大基金)成立合资公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司，在国内建设用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料和电化产品的生产
公司多为中小尺寸硅片生产公司。数据显示，2015年全球晶圆制造用硅片市场将达到509亿元，我国晶圆制造用硅片和硅基材料市场也将超过116亿元。随着我国集成电路产业的加速发展，对电子级多晶硅的需求也将不
12月11日，保利协鑫公布，将与国家集成电路产业投资基金(以下简称大基金)成立合资公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司，在国内建设用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料和电化产品的生产
硅片生产公司。数据显示，2015年全球晶圆制造用硅片市场将达到509亿元，我国晶圆制造用硅片和硅基材料市场也将超过116亿元。随着我国集成电路产业的加速发展，对电子级多晶硅的需求也将不断增大，保利协鑫与
12月11日，保利协鑫公布，将与国家集成电路产业投资基金(以下简称大基金)成立合资公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司，在国内建设用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料和电化产品的生产
公司多为中小尺寸硅片生产公司。数据显示，2015年全球晶圆制造用硅片市场将达到509亿元，我国晶圆制造用硅片和硅基材料市场也将超过116亿元。随着我国集成电路产业的加速发展，对电子级多晶硅的需求也将不
日宣布，将开始旨在降低结晶硅型太阳能电池发电成本的新项目。项目以该校理工学部电气电子生命学科教授小椋厚志等组成的研发小组为中心。小椋教授研究的关于尖端复合技术硅太阳能电池工艺共同基础的研究开发入选了
大学、东京工业大学和兵库县立大学共6所大学参加的联盟成立。将汇集各自擅长领域的技术知识和经验等，推进提高结晶硅型太阳能电池性能不可或缺的结晶/晶圆、接合、界面/表面、模拟以及物理和化学分析等通用基础技术
