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晶体薄膜
(Heterojunction，HJT)： 由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶 体硅片正反两面依次沉积厚度为
5-10nm 的本征和掺杂的非晶硅薄膜，以及透明导电氧化物 (Transparent Conductive Oxide，TCO) 薄膜，从上到下依次形成了 TCO-N-i-N-i-P-TCO 的对称
没有人真正知道我们所发现的原子运动是如何支撑这些特征的。
钙钛矿是一类材料--通过正确的元素组合--生长成一种晶体结构，使其特别适合能源应用。它们吸收光并有效转移其能量的能力使它们成为研究人员开发
新型太阳能电池等的共同目标。它们也很柔软，有点像纯金很容易凹陷，这使它们在制成薄膜时有能力容忍缺陷并避免开裂。
然而，一种尺寸并不适合所有的情况，因为有广泛的潜在配方可以形成钙钛矿。许多最简单和研究
Ohl 于 1941 年发现了硅中的 PN 结和光伏效应，从而促进了结晶体管和太阳能电池的发展。
在此基 础上，美国贝尔实验室 D.M. Chapin，C.S. Fuller 和 G.L.
Pearson 等人在 1954 年制出了 第一个无机单晶太阳能电池，其光电转化效率达到了 6%。现代硅太阳电池时代从此开 始。
同年，韦克尔首次发现砷化镓具有光伏效应，并在玻璃上沉积硫化镉薄膜制成了第
晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外，电池转换效率受制于很多因素，为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失，各种工艺、技术应运而生：表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。
目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主，其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
毁灭性创新两次能级跃迁复盘
光伏历史上有两次技术迭代带来的行业跃迁：晶体硅替代薄膜路线和单晶硅片替代多晶硅片。
完全不同的新技术替代了难以升级的老技术形成转换效率的跃迁，摧毁了现存者的资产负债表
400~500 美元/kg。
在多晶硅价格上涨的2003-2008年，薄膜路线因为性价比凸显的优势，增速快于晶体硅路线，份额占比从6%提升至10%左右。应用材料等半导体公司纷纷推出了交钥匙生产线，国内
第一块晶体硅太阳能电池是1954年贝尔实验室做出来的，到今天已经有60多年的时间了，转换效率在4.5%左右;到1958年，世界上推出了BSR结构，也就是背面反射结构的太阳能电池，转换效率接近10%;前些年行业里
，并在20162017年逐渐成为主流电池技术。PERC是对背场做了改进，采用的是背钝化技术和局部背电极的技术方案。
晶硅电池的原理比较简单，以晶体硅作为载体，就是硅片以晶体硅为材料，通过扩散的形式
注册要求)清单》，包含在清单中的六种产品需要通过BIS认证才能在印度市场销售。 强制范围产品包括：地面用晶体硅光伏组件、薄膜光伏组件、其它光伏组件、光伏电力系统用变流器、并网光伏逆变器、储能电池等
长。 光伏产业链大致可分为多晶硅、硅片，中游电池片、组件，以及下游光伏发电系统三大环节。 光伏发电的技术路线主要包括晶体硅光伏发电和薄膜光伏发电，其中晶体硅光伏发电包括单晶硅片发电和多晶硅片发电。两者在成本和
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
。单晶电池相对于多晶，产品效率方面有天然的优势。多晶电池全面应用黑硅技术，单晶领域则大规模普及PERC技术，预计2-3年内在多晶领域也将全部由PERC技术替代。由于晶体生长工艺不同，导致单晶硅片与
多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。单晶硅具有更少的缺陷、更高的机械强度、更低的碎片率、更大的效率提升空间、更高的集约性、更长的衰减期。
高效单晶市场份额逐渐扩大。随着
