晶体硅薄膜

楔子，在变形的硅的边缘，戳开一条缝，裂缝就会从一个边缘扩散到另一个边缘，这样，工程师最终就可以剥离金属膜，连同一层薄薄的25微米的硅。重要的是，硅的晶体结构使裂纹可以均匀扩散到整个硅片，而且硅是柔性的
，所以它不会碎裂，而会脱落下来。由此产生的金属硅薄膜，随后要进一步加工，形成太阳能电池的正面。整个过程可以重复进行，会继续有25微米的薄层剥离原始厚硅片。这完工后，形成的就是一片晶圆，但仍然比较厚，从

的硅的边缘，戳开一条缝，裂缝就会从一个边缘扩散到另一个边缘，这样，工程师最终就可以剥离金属膜，连同一层薄薄的25微米的硅。重要的是，硅的晶体结构使裂纹可以均匀扩散到整个晶圆，而且硅是柔性的，所以它不
会碎裂，而会脱落下来。由此产生的金属硅薄膜，随后要进一步加工，形成太阳能电池的正面。整个过程可以重复进行，会继续有25微米的薄层剥离原始厚晶圆。这完工后，形成的就是一片晶圆，但仍然比较厚，从180微米到

，将提升光伏发电效率今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至

的目标，方正证券预计今年招标规模将进一步扩大。短期利好并网设备公司今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5
%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无隔离变压器型逆变器最大转换效率要求不低于97%，含变压器型逆变器

。 　　短期利好并网设备公司 　　今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于

，延续了往年的补贴力度。为实现2015年光伏装机达到15GW的目标，方正证券预计今年招标规模将进一步扩大。　　短期利好并网设备公司　　今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照
面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无

光伏电池组件、光伏逆变器和储能蓄电池等关键设备必须具备一定的资质。比如：要求晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)14.5%，非晶硅薄膜光伏组件7%，CIGS薄膜光伏组件10%。且
，再加上欧债危机导致海外订单剧减;晶体硅光伏电池及光伏组件价格持续下跌，产品毛利率下降，光伏相关上市公司均纷纷修正2011年业绩。超日太阳曾在三季报中预计2011年度净利润同比增长50%-70%，但公司在1

一体化市场的发展，为我国光伏产业开辟了新的市场蓝海。而在这一领域，相较于晶体硅太阳能电池，薄膜太阳能电池占据显著优势。薄膜太阳电池是新一代的太阳能电池，比之传统的晶体硅电池，具有原材料省、低能耗、低成本
、便于大面积连续生产等显著的优势。非晶硅薄膜太阳能电池更具有原材料丰富、无毒、无污染、能耗最低等优点。就光伏建筑的主要应用之一太阳能屋顶而言，薄膜电池更能发挥其技术优势。首先，薄膜电池弱光响应效应更好

，为我国光伏产业开辟了新的市场蓝海。而在这一领域，相较于晶体硅太阳能电池，薄膜太阳能电池占据显著优势。薄膜太阳电池是新一代的太阳能电池，比之传统的晶体硅电池，具有原材料省、低能耗、低成本、便于大面积
连续生产等显著的优势。非晶硅薄膜太阳能电池更具有原材料丰富、无毒、无污染、能耗最低等优点。就光伏建筑的主要应用之一太阳能屋顶而言，薄膜电池更能发挥其技术优势。首先，薄膜电池弱光响应效应更好，单位成本

　　一、电池组件（一） 性能要求1. 晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2. 工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前
）不低于组件标称功率；3. 使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%；4. 晶体