晶体硅片

2016年多晶硅产量19.4万吨，同比增长17.5%;硅片产量约63GW(吉瓦，下同)，同比增长31.2%，光伏电池产量约为49GW，同比增长19.5%，光伏组件产量约为53GW，同比增长20.7
产业化进程加快。先进晶体硅电池技术研发多次打破世界纪录，黑硅制绒、背面钝化(PERC)、N型双面等一批高效晶硅电池工艺技术产业化加速，已建成产能超过10GW，单晶和多晶电池平均转换效率达到20.5%和

良好。一是产业规模持续扩大。2016年多晶硅产量19.4万吨，同比增长17.5%；硅片产量约63GW（吉瓦，下同），同比增长31.2%，光伏电池产量约为49GW，同比增长19.5%，光伏组件产量约为
工厂等。四是先进工艺技术产业化进程加快。先进晶体硅电池技术研发多次打破世界纪录，黑硅制绒、背面钝化（PERC）、N型双面等一批高效晶硅电池工艺技术产业化加速，已建成产能超过10GW，单晶和多晶电池平均

成立方硅锭，就得到了多晶硅;将高纯熔化后通过提拉法获得单晶，就得到了单晶硅。顾名思义，多晶硅的硅锭中存在许许多多互相独立的晶格，像是由许多小晶体拼接起来的，而单晶硅棒或者单晶硅片整体属于同一个晶体。由

，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和
;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻

电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6）HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上
穿孔卷绕）电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率

呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和
Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用

，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。 HIT太阳电池组件 HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。 采用了PERC技术后，光生空穴

世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与

Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压
，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷

皇冠上的明珠。近10万吨的多晶硅产能，占据了全球的四分之一;近20吉瓦的铸锭产能，占据了全球的三分之一，也就是说，全球每生产三片硅片，就有一片源自江苏协鑫硅材料的铸锭车间。硅片分选线高效能的铸锭车间在
。其实光伏产业刚开始只有单晶技术，以半导体工艺为基础的单晶拉棒技术产能极其有限，耗电量高，难以迅速扩张。技术人员想办法提升炉内空间，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生。高产