晶体生长

经验，担任生产、工艺工程、战略原料供应等多重职位。1985-2002年，他担任MEMC公司单晶晶体生长生产董事、工程经理、战略原料供应经理。1981-1985年，他担任S.E.H(美国)生产部经理
Rossetto于2006年6月加入。1976-2002年，他在MEMC担任多重职位，包括单晶晶体生长技术经理及高级经理，各种不同项目的项目经理。 链条对链条的竞争 无锡尚德 在整合全球资源与提升产业链

有限公司。经过50年的发展，现已成为集晶体生长设备研制、开发、生产于一体的高新技术企业，为我国微电子工业、光电子工业以及光伏产业的发展作出了重要贡献。据悉，西安理工晶体科技有限公司可生产12大系列、近百种
型号的电子专用设备，已累计生产晶体生长设备3600余台套，连续3年产值过亿元，2008年，有望实现销售收入3亿元的目标。该公司多次承担国家科技攻关计划、高技术研究计划、火炬计划项目。2007年与北京

采用的P型(100)单晶，要解决B-O络合物对电池转换效率衰退的原理，单晶要解决大直径低氧工艺；明确原料中三、五族杂质补偿度对太阳能电池质量的影响定量关系。在LED领域首要解决晶体生长工艺和量产及外延工艺。

　　洪桥集团(８１３７)公布，于前天(２０日)签订意向书，向两家独立公司收购一家位于山东济宁从事太阳能硅材业务之公司凯伦光伏之控制性股权。凯伦光伏以研发及生产光伏太阳能电池晶体生长用高纯硅原料

　　1月14日，中电科技集团第48研究所推出以多晶硅铸锭炉为代表的多种具有自主知识产权的新一代太阳能光伏装备产品。　　记者了解到，该系列多晶硅铸锭炉一次可铸锭240kg-270kg，晶体生长速率、炉

升温量变化快慢对所形成的纳米硅大小晶粒的影响，采用晶体生长中成核理论。在晶体生长中需要两步：第一步是成核，第二步是生长。也就是说，在第一步中需要足够量的生长仔晶。结果显示：升温快慢影响所形成的仔晶密度

　　阅读提示 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外公司所
“炼”成“晶”　　　　“单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在过去，我国以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外

MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分
，并在晶体生长时产生周期性的旋转条纹。VMCZ法解决了TMCZ法所存在的问题，与TMCZ比，它有如下特点: 1.尺寸小、重量轻的螺线管可产生强而均匀的磁场; 2.不需要调整常规CZ

cZ法生长的。常规cZ法生长的晶体中，氧主要来自石英钳锅，其浓度变化范围介于4.0 x 10'0与2.0 x 10`8原子/厘米”之间〔3,4)，随晶体生长的各种参数而变，其浓度上限接近于硅熔点时的饱和
10的7次方。由此可见，在磁场的作用下，动粘滞度增大，这对减小热对流的驱动力是有效的。外加磁场时CZ法的原理如图2所示。如果在外层空间中进行晶体生长，由于g等于零，当然就不存在热对流的问题了。 图2MCZ法的原理图

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。 不过,据行业