晶体生长
2007第三届中国太阳级硅材料及硅太阳电池研讨会来源：Solarbe.com 发布时间：2007-06-11 11:10:22
德国Schmid Group
史少武/张永安
自动化大规模生产太阳电池的技术
17:00-17:20
西安华德晶体生长设备公司
邱宗明 教授
CZ硅单晶生长技术与设备
17
:20-17:40
华东理工大学
郑金标 教授
硅切割废弃物的回收利用探讨
17:40-18:00
美国GT Solar
Dr. Ford
硅晶体生长技术进展
太阳能光伏技术——晶体硅太阳能电池及材料来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:19:33
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
杂质、氧、碳含量减少。在晶体生长中固液界面的形状会影响晶粒结构的均匀性与材料的电性能，一般而言，水平形状的固液界面较好。由于硅锭整体质量的提高，使硅锭的可利用率得到明显提高。 由于铸锭中采用
我首台12英寸单晶炉研制成功来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-05 08:34:13
集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。
单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
和样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。
验收会上，专家们认为该成果的
