%以上,有效提高光照利用率,具有更高性能和安全性优势。 (4)公司成功研制出6英寸碳化硅晶体生长炉,该设备采用物理气相沉积法生长碳化硅单晶。导电型、半绝缘型碳化硅晶片可分别应用于电力电子和微波射频等领域。碳化硅单晶生长装备研制成功,有助于拓展公司在第三代半导体设备领域的市场布局。
,晶盛机电对于人才流失的这一风险,也有预判。其公司拥有一批具备丰富的行业应用经验、深刻掌握晶体硅生长设备制造和晶体生长工艺技术的核心技术人员,如果流失,将可能导致公司的核心技术扩散,从而削弱公司的竞争优势,并可能影响公司的经营发展。
上市公司在经营方面也不乏受到了一些波及,呈现出冰火两重天的局面:例如,爱康科技(002610.SZ)预计2018年度归属于上市公司股东的净利润增长120.35%至208.49%,晶体生长炉设备龙头
会成为主流? 方形单晶之所以此时成为主流,是晶体生长成本不断下滑,使得消灭导角带来的收益大于消灭导角所增加成本的历史必然。而之所以选择158.75mm边长,是因为这个规格恰好比原硅片尺寸大3.14
发生LID(光致衰减),在短时间(几天或几周)内就能达到饱和的衰减。行业对于LID(光致衰减)的研究也已经非常充分,产生机制也获得一致认可,主要是硅材料内的硼氧缺陷。因为晶体生长方法的差异,单晶硅
主动气体降温的强控制模式,使得晶体生长可控性更强。通过中空的DS块、气体冷却器、泵组、变频器等组成可控气体流量的闭合气路,以流动气体对DS块进行直接冷却,并通过DS台上的温度反馈调节泵组电机速度来控制
、底部水冷三种模式。 气冷技术与目前现有相比拥有自己独特的优势,将先前依靠移动隔热笼的被动DS块辐射降温的弱控制模式改为DS块底部主动气体降温的强控制模式,使得晶体生长可控性更强。通过中空的DS块
经过2010年左右的昙花一现,铸造单晶如今又卷土重来,且来势汹汹。 所谓铸造单晶就是采用铸锭炉,利用籽晶以定向凝固的方式进行晶体生长,产出铸锭单晶大锭,又称为准单晶或类单晶。而在当前主流的工艺制造
晶体生长方法的差异,单晶硅材料内间隙氧含量远高于多晶,从而LID衰减也远高于多晶。两到三年前PERC技术的推广还受限于LID(光致衰减),随着抗LID衰减技术的突破使LID得到比较有效的控制,加之设备的
: 一是利用计算机数值模拟和实际晶体生长试验相结合的方式,以及对热系统设计、设备关键部件创新,可以将其目前主导产品直径为8英寸的N型、P型晶体生长速度提升30%; 二是通过对切割钢线形态调整、关键工艺设备