晶体生长设备

　　洪桥集团(８１３７)公布，于前天(２０日)签订意向书，向两家独立公司收购一家位于山东济宁从事太阳能硅材业务之公司凯伦光伏之控制性股权。凯伦光伏以研发及生产光伏太阳能电池晶体生长用高纯硅原料
及太阳能电池用硅为目标，当前已成母野垓z方法突破４Ｎ(纯度为９９．９９％)硅料中的除硼去杂技术，使硅料纯度达到５Ｎ(纯度为９９．９９９％)及以上，产品已完成中试并小批量成尼J市场，正式规模生产设备已进入订造

　　1月14日，中电科技集团第48研究所推出以多晶硅铸锭炉为代表的多种具有自主知识产权的新一代太阳能光伏装备产品。　　记者了解到，该系列多晶硅铸锭炉一次可铸锭240kg-270kg，晶体生长速率、炉
所克服重重困难，设备安装调试一次成功，铸造出的硅锭晶体结构和电学特性全部优良，项目比原计划提前了一年完成。48所多晶硅铸锭炉的研制成功，是我国太阳能光伏装备实现国产化的又一次重大突破，使我国的多晶硅

到400cm2/v.s，是目前综合性能最好的低温多晶硅薄膜。工艺成熟度高，已有大型的生产线设备，但它也有自身的缺点，晶粒尺寸对激光功率敏感，大面积均匀性较差。重复性差、设备成本高，维护复杂。 快速热退火
升温量变化快慢对所形成的纳米硅大小晶粒的影响，采用晶体生长中成核理论。在晶体生长中需要两步：第一步是成核，第二步是生长。也就是说，在第一步中需要足够量的生长仔晶。结果显示：升温快慢影响所形成的仔晶密度

　　阅读提示 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外公司所
“炼”成“晶”　　　　“单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在过去，我国以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题，高端产品均为国外

MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分
生长晶体时，可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年，Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后，熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决，人们对MCZ法是否具有实用意义提出

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

德国Schmid Group 史少武/张永安 自动化大规模生产太阳电池的技术 17:00-17:20 西安华德晶体生长设备公司 邱宗明 教授 CZ硅单晶生长技术与设备 17

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
和样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。 　　验收会上，专家们认为该成果的