晶体炉

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光伏行业2017年总结(一):金刚线本质上是有利于单晶的产业革命来源:三钱二两 发布时间:2017-12-10 09:48:57

上游设备制造商,大力研发高产能、高品质单晶炉;2、扶持金刚线国内供应商,推动金刚线的产业化应用;3、推动perc电池的产业化应用和效率提升。隆基股份一系列动作推动产业快速进步的同时也奠定了它光伏产业新晋
。之所以说金刚线切割本质上有利于单晶路线是因为单晶硅片应用金刚切效果更好,成本下降更显著。之所以如此是因为多晶铸锭的生产过程使得其内部晶格序列不完全一致,内部晶体的硬质点导致线材的消耗量增加;而单晶准

太阳能电池片科普系列——单晶硅篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-12-04 15:59:38

单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚,在硅单晶炉内熔化;然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便在籽晶下端生长。 其基本原理
克劳斯基法(Czoalsik: CZ 法)是1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法,现成为制备单晶硅的主要方法。利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称直拉法。目前国内太阳电池

太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-12-01 14:13:35

配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间,铸锭炉在长晶等阶段出现异常,此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时,底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模,硅锭底部开裂。而过量的氮化硅
破裂,退火的作用是使硅锭内部温度一致,消除硅锭内的应力。7、冷却冷却阶段隔热笼慢慢打开,压力逐渐上升,冷却阶段时间较长,其作用与退火一样重要,直接影响硅锭的性能。太阳电池多晶硅锭是一种柱状晶,晶体

单多晶“龙头”合作进一步深化 中环股份、保利协鑫相互增资来源:证券日报 发布时间:2017-11-30 08:56:53

。做为战略合作方,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

单多晶巨头再联手,增资降本,剑指光伏平价上网来源:中国能源报 发布时间:2017-11-29 23:59:59

,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。该高管也透露,保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

3亿+30亿 协鑫中环两单多晶巨头再度发力来源: 发布时间:2017-11-29 18:29:59

切片代工。做为战略合作方,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

保利协鑫携手天津中环再度发力多晶硅项目来源: 发布时间:2017-11-29 15:40:59

能力承接切片代工。做为战略合作方,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。(来源:中国证券报·中证网)

3亿,30亿,协鑫中环两单多晶巨头再度发力来源:智通财经 发布时间:2017-11-29 08:56:57

以上的切片产能,目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

3亿,30亿,协鑫中环两单多晶巨头再度发力来源:智通财经 发布时间:2017-11-28 23:59:59

产能,目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方,中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉,并加快晶体生长速度,可以增加30%以上铸锭产能,并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

太阳能电池片科普系列——发电原理篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-27 14:41:14

电子变得非常活跃,叫做N型半导体。晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面PN结,即在规格大约为15 cm15 cm的P型硅片上经扩散炉扩散磷原子,扩散出一层很薄的经过
内部就会形成了由N区指向P区的光生电流产生。 光生电流示意图一、P型半导体的形成如图,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子 当硅晶体中掺入硼时(如下图),负电荷表示围绕在硅原子旁边的