方法

德国德累斯顿工业大学YanaVaynzof团队提出了一种新型分析方法，通过弱吸收与强吸收区间内的内量子效率计算光电子参数。相关成果以“SimpleDetectionofImperfectChargeExtractionatContacts-ApplicationtoPerovskiteSolarCells”为题发表在期刊AdvancedEnergyMaterials上。值得注意的是，研究选择移除ETL而非空穴传输层，旨在避免后者对钙钛矿晶化过程的影响。重建曲线与实测光谱在整个波长范围内高度吻合，特别是在强吸收区域，这不仅证实了基于泰勒近似的收集函数模型的正确性，也支持了界面主导电荷提取的假设。

所提出的方法无需依赖瞬态技术或传统假设完美载流子提取的IQE模型，即可快速评估器件界面性能。文章亮点：1.新型IQE线性化分析方法：通过强吸收与弱吸收极限下的IQE线性拟合，直接提取界面收集效率fc及其空间梯度，无需依赖瞬态测量或理想化假设。

金属卤化物钙钛矿薄膜的制备目前严重依赖反溶剂的使用。本研究提出了一种真空淬火结合晶体生长调节剂的方法，该方法无需反溶剂和二甲基亚砜，通过形成含非晶态络合物的中间膜，实现了对锡钙钛矿晶体生长的调控。大面积制备与模块化应用：实现了最大7.5×7.5cm的均匀锡钙钛矿薄膜制备，并成功构建了活性面积为21.6cm的七电池模块，展示了其良好的可扩展性与产业化潜力。

为此，研究者寻找了有效的高度挥发性主要溶剂和路易斯碱添加剂的组合，以实现无抗溶剂的锡钙钛矿薄膜制备。因此，1-乙烯基咪唑被选为晶体生长调节剂，并进行了进一步研究。中间相的表征真空淬火后的薄膜呈现棕色半透明的外观，与退火后获得的黑色钙钛矿薄膜不同，表明形成了中间相。这些结果表明，V-CGR方法适用性广泛，无论下层的疏水性或钙钛矿的组成如何，均能有效应用。

8月29日，在盛剑科技成立20周年庆祝活动上，季丰电子与盛剑科技举行了正式的战略合作签约仪式。盛剑科技董事长张伟明、季丰电子董事长郑朝晖、季丰电子轮值CEO倪卫华等双方重要嘉宾出席了签约仪式。值得注意的是，双方还将聚焦钙钛矿电池检测认证标准，联合开发钙钛矿光伏组件的测试方法与认证体系，共同加速其商业化进程。

长期以来，工程师们一直致力于为硅芯片制造小型、高效的激光器，这对于先进的光通信和计算至关重要。传统激光器使用昂贵的 III-V 族半导体，难以与硅集成。全无机钙钛矿薄膜提供了一种更便宜、用途广泛的替代品，具有很强的光学性能。然而，一个关键的挑战是，在室温下，钙钛矿激光器难以连续运行，因为它们会因俄歇（Auger）复合而迅速失去电荷载流子。

早期钙钛矿太阳能电池的一个问题是材料及其与电荷收集层的界面中存在高密度的缺陷，这扰乱了电荷流动并导致能量以热量形式损失。100多天后，新设计的电池保留了92%的性能，而对照设备仅保留了其初始性能的76%。在55°C下连续强光照射300小时的严酷测试中，新型太阳能电池保留了76%的性能，而对照器件则下降到47%。

解决钙钛矿太阳能电池的效率和长期稳定性限制源于晶体缺陷以及界面能级错位，中国研究人员设计了双二硫化物作为钙钛矿和电子传输层界面处的多功能界面改性剂。频闪散射显微镜显示，SF处理薄膜具有优异的长期载流子动力学，在环境空气中2000小时后仍保留其初始最大载流子扩散系数的~86%，远远超过参考器件。值得注意的是，在环境储存三个月后，SF改性钙钛矿薄膜的平均载流子扩散系数比对照组高出约3倍，强调钙钛矿薄膜质量的增强。