底部

(PMDA)策略来设计底部界面并抑制相分离。多个重复膦酸基团在NiOx上形成的增强且均匀的锚定作用显著优化了底部界面，抑制了不利的界面反应，从而减轻了宽带隙钙钛矿的相分离。结果表明，PMDA修饰的宽带
对底部界面进行工程设计并抑制相分离。多个重复的膦酸基团在NiOx上增强并均匀锚定，显著抑制了不利的界面反应，减轻了宽带隙钙钛矿的相分离。因此，PMDA修饰的宽带隙钙钛矿太阳能电池(WBG PSCs

和器件不稳定。基于此，华南理工大学严克友等人采用引入聚咔唑膦酸的聚合物多齿锚定(PMDA)策略来设计底部界面并抑制相分离。多个重复膦酸基团在NiOx上的强化和均匀锚固显著优化了底部界面，抑制了不利的界面
薄膜的归一化PL光谱。(g)抑制界面反应和相分离的机理示意图。图3. (a，d)沉积在对照和PMDA改性的NiOx薄膜上的WBG钙钛矿薄膜的底部SEM、(b，e)横截面SEM图像和(c，f)PL

全钙钛矿串联太阳能电池(TSCs)由宽带隙(WBG, 1.7-1.8 eV)的顶部电池与窄带隙(NBG, 1.2-1.3 eV)的底部电池组成，被认为是有望打破单结钙钛矿太阳能电池(PSCs

近日，Qcells公司宣布其生产的钙钛矿/硅串联太阳能电池组件成功通过了太阳能电池可靠性的几项关键压力测试。据了解，此次受测组件在顶部电池采用了Qcells公司内部的钙钛矿技术，而底部电池则运用

城市大学研究团队制造的可弯曲钙钛矿 - 硅叠层太阳能电池，结构独特且复杂。它由底部可弯曲的薄膜异质结电池和顶部通过低温工艺制造以防损坏的钙钛矿电池组成。这种分层设计结合了两种电池的优势，既保证了电池的
可弯曲特性，又提升了整体的转换效率。在底部电池的处理上，研究团队采用了氢氧化钾(KOH)蚀刻技术，对原本转换效率为21.1%的电池进行减薄处理。这一过程不仅需要精湛的技术，更需要精确的控制，以确保

，5000rpm 30s旋涂，100℃退火5 min;4.蒸镀1 nm LiF, 30 nm C60;8 nm BCP;100 nm Ag。Tandem device:1. 将具有20 nm ITO复合层的Si底部

近日，山东大学化学与化工学院于伟泳教授联合学院李培洲教授和鲁东大学张树芳教授，在钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展，提出了金属化卟啉基共价有机框架作为钙钛矿底部界面的导电多孔层提升功率转换效率和环境
)。Cu-Por-COF通过其特有的π─π堆积效应与n型半导体特性，展现出作为中间层的潜力。研究团队将其引入钙钛矿太阳能电池底部界面，作为新型导电多孔层(见图1b)，实现器件性能的提升。图1.

光电流损失。然而，基底/钙钛矿界面处形成的孔洞阻碍了此类厚层的制备。相场模拟研究表明，底部空隙源于干燥过程中液相-气相界面纳米晶体聚集所驱动的残留溶剂捕获。2025年5月14日，埃尔朗根-纽伦堡大学

近日，韩华Qcells研发的钙钛矿/硅叠层太阳能组件成功通过太阳能电池可靠性的几项关键压力测试，并荣获德国莱茵TÜV认证。据悉，此次通过测试的组件其顶部电池采用韩华Qcells内部的钙钛矿技术，底部

提出了一种卤素阴离子预均质(Pre-H)策略，通过预先形成均质的无机卤化物前驱体来缩小碘化物和溴化物组分之间的成核速率差异，从而提高纵向结晶性、组分均匀性以及与底部界面的良好接触。此外，研究发现增加