干法黑硅

%，硅片成本下降约15%(0.4-0.6元/片)，保持多晶硅片在成本上的优势;黑硅技术则能有效提高组件功率，其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，处于实验阶段的湿法(MCCE
认为，多晶硅片通过黑硅技术的应用推广，在未来五到十年内还将占领市场主导地位。 万跃鹏表示，黑硅技术应用于金刚线切硅片制绒将成为未来多晶硅片的一个发展方向。金刚线切割多晶，可以使单位重量出片数增加约17

。其中干法（RIE）黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，湿法（MCCE）黑硅可促进电池效率提高0.2%-0.4%。万博士引用数据指出，近年来单晶技术的多项进步使得成本大为降低，对以性价比优势主导

显著改善多晶硅片的表面结构，并可以借助金刚线切片技术显著降低加工成本，而成为未来高效多晶技术的理想解决方案。其中干法（RIE）黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，湿法（MCCE）黑硅可促进
5月22日，由中国光伏行业协会主办的多晶金刚线切与黑硅技术论坛在苏州举行。保利协鑫CTO万跃鹏博士出席会议并作主题发言，他指出，在过去的四、五年间，多晶产品效率的提升主要来源于晶体结构的改善，并

称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
两方面都同时兼顾。今年公司完成了行业首家干法金刚线黑硅的产品（EAGLE BLACK)推出（提升约5w）。与其他家的RIE技术相比，晶科的RIE工艺能提升奈米开口，且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外

黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE
都同时兼顾。 今年公司完成了行业首家干法金刚线黑硅的产品(EAGLE BLACK)推出(提升约5w)。与其他家的RIE技术相比，晶科的RIE工艺能提升奈米开口，且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外，较

称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
两方面都同时兼顾。今年公司完成了行业首家干法金刚线黑硅的产品（EAGLE BLACK）推出（提升约5w）。与其他家的RIE技术相比，晶科的RIE工艺能提升奈米开口，且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外

燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的
吸引厂商加速导入黑硅技术的速度。然黑硅技术目前在干法与湿法黑硅技术都还有部分细节问题待市场验证，而今年陆续有一线大厂导入的干法黑硅技术，有望因为产业领导厂商的登高一呼而成为今年市场最火热的新技术。

/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺

制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可