,太阳能电池可以得到的最大功率转换效率(PCE)为高度集中阳光的近87%。我们面临的挑战是开发可以实现大范围带隙和以高结晶质量增长的半导体材料系统。新研究出自加州大学洛杉矶分校(UCLA)的Yang
技术构造的III-V基太阳能电池已经达到了所有太阳能电池的最高能量转换效率,超过当前记录40%。在III-V基多结太阳能电池中,用于高电流输出三结电池的最优排列设有一个宽带隙吸收器(2.0-1.85eV
、1.40eV和0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结,使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时提供高的结间势垒,防止两层中产生的少子扩散
。在这其中,高效多结太阳能电池技术的研究尤为引人注目。
认识高效多结太阳能电池技术
一般所说的高效多结太阳能电池是指针对太阳光谱,在不同的波段选取不同频宽的半导体材料做成多个太阳能子电池
0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结,使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时提供高的结间势垒,防止两层中产生的少子扩散。 多结太阳能电池经过近十几年的发展,其在
的热点。在这其中,高效多结太阳能电池技术的研究尤为引人注目。认识高效多结太阳能电池技术一般所说的高效多结太阳能电池是指针对太阳光谱,在不同的波段选取不同频宽的半导体材料做成多个太阳能子电池,最后将这些
电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结,使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时提供高的结间势垒,防止两层中产生的
、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和0.65eV。在顶层和中层相邻两个电池间设有宽带隙的异质结构隧道结,使得入射光能顺利通过顶层电池到达中层的GaAs电池。同时
一种宽带隙半导体材料,室温下带隙约3.3eV,对于这一点实际上会提高短波响应的。长波的穿透能力强,这个就是背场要考虑的了。 除了这个ZnO之外,大家可能还关心一类添加剂就是第五主族的,类似那个背
University, India 碲化镉(CdTe)是具有闪锌矿(立方)晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物。以体结晶形式时,它是具有直接带隙=1.45eV的理想半导体,对太阳能的转换非常有用。这在原理
太阳能光伏电池厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组日前成功研发出以氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体为材料的太阳能光伏电池,从而大大稳定其性能并延长使用时间。据悉,这是国际上首次实现了宽带隙半导体在
带隙,是增加光催化材料可见光吸收的基本手段。锐钛矿TiO2是研究最为广泛的光催化材料,目前利用掺杂手段在一定程度上增加了该材料的可见光吸收,但仍无法实现全谱强吸收。该实验室一直致力于解决宽带隙光催化
由染料敏化剂、宽带隙半导体纳米晶、含有碘电对的电解质和对电极等四种成分构成。鉴于金属铂的卓越电催化性能,目前的高性能染料敏化太阳电池主要采用镀有金属铂的导电玻璃作为对电极。但由于铂的储量低、价格高,极大