宽带隙半导体

研究人员持续围绕叠层有机光伏电池关键材料和器件制备开展了大量研究。研究人员围绕基于聚合物-富勒烯的有机光伏电池，系统优化了宽带隙和窄带隙的光伏活性层材料以及相应的叠层器件制备方法，在2015年和2016年分

化学实验室侯剑辉课题组研究人员持续围绕叠层有机光伏电池关键材料和器件制备开展了大量研究。研究人员围绕基于聚合物-富勒烯的有机光伏电池，系统优化了宽带隙和窄带隙的光伏活性层材料以及相应的叠层器件制备方法

材料用于高开路电压高效率叠层太阳能电池的制备。此前，该团队通过溶胶凝胶法构筑了ZnMgO电子传输层材料并利用该类新型三元宽带隙半导体界面材料，成功实现了兼具高效率和长期稳定性的有机太阳能电池
：从对称的苯并二噻吩拓展到不对称茚并噻吩构筑单元。与含苯并二噻吩的聚合物材料相比，基于茚并噻吩的聚合物材料将具有更宽的带隙和更深的最高占据分子轨道（HOMO）能级，因此更适合作为短波段吸收太阳能电池

段吸收太阳能电池材料用于高开路电压高效率叠层太阳能电池的制备。此前，该团队通过溶胶凝胶法构筑了ZnMgO电子传输层材料并利用该类新型三元宽带隙半导体界面材料，成功实现了兼具高效率和长期稳定性的有机
单元的选择范围：从对称的苯并二噻吩拓展到不对称茚并噻吩构筑单元。与含苯并二噻吩的聚合物材料相比，基于茚并噻吩的聚合物材料将具有更宽的带隙和更深的最高占据分子轨道（HOMO）能级，因此更适合作为短波

。针对有机光伏器件稳定性不高的问题，该团队通过溶胶凝胶法构筑了ZnMgO(ZMO)电子传输层材料。利用该类新型三元宽带隙半导体界面薄膜优良的光电性质和突出的稳定性，成功实现了兼具高效率和长期稳定性的有机

就要耗费硅太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m
工艺简单、耗能小、制造成本低廉、可大面积连续生产，在光伏领域引起极大关注。薄膜电池主要包括非晶硅薄膜电池和其他化合物薄膜电池两类。非晶硅的长程无序结构使其转变为直接带隙半导体，光吸收系数显著提高，相应的

太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m以上才能吸收
、耗能小、制造成本低廉、可大面积连续生产，在光伏领域引起极大关注。薄膜电池主要包括非晶硅薄膜电池和其他化合物薄膜电池两类。非晶硅的长程无序结构使其转变为直接带隙半导体，光吸收系数显著提高，相应的电池厚度

-绝缘层-半导体(MIS)结构太阳能电池。1985年，Eli Yablonovitch教授就提出理想的太阳能电池应该是采用两个异质结来设计，即将吸收材料置于两个宽带隙材料之间。而SunPower的创始人

太阳能电池应该是采用两个异质结来设计，即将吸收材料置于两个宽带隙材料之间。而SunPower的创始人之一Richard Swanson博士也在10年前预测接近理论效率的晶硅太阳能电池应在硅和金属之间
，放置一层宽带隙材料构成异质结。这些结构都指向选择性接触电池。假设图二中间是吸收材料，左右两侧分别是空穴电极和电子电极，而电极与吸收材料之间则是选择性传输层，左侧为空穴传输层，右侧为电子传输层。由于选择性