太阳能级单晶硅片
半导体级和太阳能级CFZ区熔单晶硅，再利用DW技术生产半导体级和太阳能级CFZ单晶硅片。项目达产后，预计实现年产高效太阳能硅片及半导体硅片9317万片的生产规模，年预计可实现平均销售收入8.13亿元，投资
项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2s，电阻率在 1-3。cm，碳、氧含量分别小于
、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或
: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品
的要求;
2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻
率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
、生产成本低的生产技术和设备。
(二) 光伏制造企业应具备以下条件: 在中华人民共和 国境内依法注册成立,具有独立法人资格;具有太阳能光伏 产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立 研 发
：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16 和18PPMA；单晶硅片少子寿命
、生产规模和工艺技术（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳
能不低于 200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品
的要求；
2.
，具有独立法人资格；具有太阳能光伏
产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研
发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工
艺改进的费用不低于总销售额的 3%且不少于 1000
经济开发区坡里路东、黄石路南;法定代表人：舒桦。经营范围：多晶硅锭、单晶硅棒、太阳能级及电子级多晶硅片、单晶硅片、太阳能级电池及组件的研究、生产、销售，太阳能、电子产业有关的工程咨询、项目开发;各类商品和技术
；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.
、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构
能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的
、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。(二)光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立
能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的
、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立
查阅了2011年工信部、国家发改委和环保部制定的《多晶硅行业准入条件》。该文件规定，太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60
不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。能耗方面，现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均
