太阳能电池工艺
在推动钙钛矿太阳能电池产业化的征程中，如何制备高质量的大颗粒、低缺陷的宽带隙钙钛矿薄膜，一直是效率提升和稳定性改善的核心难题。近日，研究团队提出了一种简便有效的溶剂气相熏蒸策略(DMSO
关键一步。一、研究背景与挑战宽带隙钙钛矿(Eg ≥ 1.65
eV)是构建叠层太阳能电池的关键前电池材料，但常见的混卤钙钛矿体系(如I/Br混合)在结晶过程中易发生快速晶化和相分离，导致晶粒小
TiO2因其合适的能带结构、简便的制备工艺和高温稳定性而被广泛用作钙钛矿太阳能电池中的电子传输层(ETL)。与其他方法相比，化学浴沉积(CBD)法能够在低温条件下制备均匀的TiO2薄膜。然而，在沉积
溶液中，以平滑CBD过程中TiCl4的水解反应。SA分子中的─SO2NH2基团通过与钛离子配位使水解过程更加稳定。用该方法制备的TiO2薄膜具有较低的缺陷态密度和优化的能带结构。结果，基于该策略制备的无空穴传输层的碳基CsPbI3
钙钛矿太阳能电池的效率从17.66%提高到19.03%。
74qJefQicUfDvYT4Q/640?wx_fmt=png&from=appmsg&tp=wxpic&wxfrom=5&wx_lazy=1" alt="图片"/全钙钛矿叠层太阳能电池代表着
下一代光伏技术的前沿，为超越单结太阳能电池的肖克利-奎瑟效率极限，同时保持成本效益和可扩展性，提供了一条充满希望的途径。然而，从实验室规模的原型到商业化产品的转变面临着诸多挑战。大面积制造需要开发可扩展的
新能源与清华大学于2025年4月申请了“一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN120166843A，申请日期为2025年04月。专利摘要显示，该发明公开了一种宽带隙钙钛矿太阳能电池
及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，宽带隙钙钛矿太阳能电池包括宽带隙钙钛矿层与双钝化层;双钝化层位于宽带隙钙钛矿层上方;双钝化层包括聚(2‑乙基‑2‑恶唑啉)与苯乙胺盐。双钝化层的制备方法，包括以下
文章介绍表面缺陷钝化对于提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性至关重要。然而，其可重复性和普适性尚未得到充分探索，限制了大规模生产的实现。基于此，西湖大学王睿等人提出了一种基于氟代异丙醇的钝化策略，仅
冲洗，以去除多余的钝化剂分子。研究证明，该策略具有宽广的工艺窗口，对钝化剂浓度的偏差具有高容忍度，并且适用于多种器件架构、钙钛矿组成和器件面积。该方法实现了高功率转换效率，并有望在工业制造中提高可
退火配方。据报道，该工艺使“溶液体积比混合蒸镀和旋涂方法中使用的溶液体积低八倍”。“最后，我们在硅底电池上使用可扩展的钙钛矿薄膜制造，并带有行业相关的纹理，对叠层太阳能电池进行了首次户外稳定性测试
阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)和弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer
ISE)报告称，由于钙钛矿薄膜的两步混合蒸镀和刀片涂布工艺，制备出开路电压超过1.9 V的钙钛矿-硅叠层
6月11-13日，SNEC PV+
2025第十八届国际太阳能光伏与智慧能源展览会盛大举行，全球95个国家超3600家参展商同台竞技，逾50万人次专业观众共襄盛会。全球领先的太阳能电池整线
解决方案提供商——捷佳伟创，携全技术路线整线解决方案及核心工艺设备矩阵隆重登场，凭借钙钛矿中试线的领先技术，荣膺展会重磅奖项“兆瓦级翡翠奖”，成为全场瞩目的焦点之一。全技术路线布局助力客户穿越周期展会现场
已报道钙钛矿太阳能电池的文献中，缺陷钝化的材料和元素很少提及氢(H)，也基本没有悬挂键的概念，而对于晶硅电池的缺陷钝化基本上指的就是氢钝化，PECVD/ALD等沉积过程引入的氢元素在硅太阳能电池
太阳能电池中主要来自原子层沉积(ALD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或低压化学气相沉积(LPCVD)等镀膜技术在沉积薄膜的过程中引入的源气体，其不同的沉积参数会显著影响氢的浓度和扩散行为。研究
:DMSO)，到工艺窗口，再到添加剂的使用，组件的制备，整个实验思路也值得读者学习，即学习如何制备致密的钙钛矿薄膜!全钙钛矿串联太阳能电池的可扩展制造具有挑战性，因为由混合铅锡(Pb-Sn)钙钛矿薄膜
埋藏钙钛矿界面处的缺陷。所得到的全钙钛矿串联太阳能组件的功率转换效率为24.5%，孔径面积为20.25平方厘米。图一、钙钛矿薄膜及器件的均匀性。工艺窗口即刮涂结束到热台退火这个过程。图二、延长工艺窗口
摘要第一作者：西湖大学王思思博士通讯作者：西湖大学王睿&浙江大学薛晶晶表面缺陷钝化对于提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性至关重要。然而，其可重复性和普遍适用性尚未得到充分探索，这限制了大规模生产
，并允许使用高浓度钝化剂，确保缺陷完全钝化。随后用氟化异丙醇和异丙醇的混合溶剂冲洗，去除多余的钝化剂分子。我们证明，该策略具有宽泛的工艺窗口，对钝化剂浓度的偏差具有高容忍度，并适用于各种器件架构、钙钛矿
