转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比,CPV采用多结的III-V族化合物电池,具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%,远高于目前晶硅电池17%左右的
转换效率)等优点。同时,该系统更加节能环保,它的一大技术特性是,聚光倍数越大所需的光伏电池面积越小。对高达几百倍的HCPV系统来说,硬币大小的转换电池就可转换碗口面积的光能。在节省半导体材料用量的同时
美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
量产方面获得突破。
去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始
第三代CPV(聚光太阳能)发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比,CPV采用多结的III—V
。
CPV系统优势多
CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,CPV采用的多结的III—V族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论
第三代CPV(聚光太阳能)发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV系统发电。与前两代电池相比,CPV采用多结的IIIV族
化合物电池,具有大光谱吸收、高转换效率等优点。CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,CPV采用的多结的IIIV族电池对光
第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V
优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差
第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V 族
性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失,目前的
现象——光伏产业成本的下降,再加上政府补贴驱动,中国的光伏发电企业正处在发展机遇期。
光伏发电的主要实现路径包括一代晶硅、二代薄膜、三代多结聚光等技术,每一代技术下又各有分支,纷繁复杂。各种
条。
尚德电力的发展速度在行业内具有代表性,在不到7年的时间,该公司从2002年9月第一条10兆瓦光伏电池生产线正式投产,到目前已形成1000MW(兆瓦,1MW=1000千瓦)/年太阳电池生产能力,跻身
%记录,多晶太阳能光伏模块转换效率的独立测试在德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所进行。 尚德的多结晶硅太阳能光伏组件破纪录,是由冥王星光伏电池利用太阳级多晶硅连结每一个光伏电池,产生超过17%的
Fraunhofer ISE在开发三结光伏电池过程中提高MOVPE工艺的在位监测能力。 图解:Fraunhofer ISE开发的聚光型太阳能电池,当C=300时它的光电转换效率是
Frank Dimroth教授表示在开发复杂半导体结构如多结太阳能电池之时,实时分析和控制生长工艺变得至关重要。 在今日之欧洲ISE制备的电池以高效率著称,ISE将这项工艺技术转让给合作伙伴
光伏电池是纳米复合硅薄膜电池,他是在第二代的基础上通过改进做成纳米复合硅多层膜达到的。通称建成“硅薄膜电池”,有可能通过采用多结多谱技术路线实现降低成本和高的光伏转化率相结合,降低 光衰减,并且有希望在
。
兆瓦电池的耗硅量04年为12吨到06年的10.5吨,07年9.5吨,下降的速度非常快。光伏发电系统能量回收周期不断缩短,这个问题有专家不太了解情况,认为光伏电池工作到它的寿命终止,发的电还不够,可以