多晶薄膜

全球经济衰退意味着投资风险的加大，而中外风投却在这时不惧风险，集体逆市投资太阳能薄膜电池。7月份以来，联想、英特尔、国际

根据知名市场研究公司iSuppli的高阶主管Henning Wicht博士表示：成本正在上涨而非下跌，迫使太阳能制造业者建立他们自有的多晶硅

日前，我国云南省大理高新技术产业开发区管委会与源畅高科技（集团）有限公司就大理太阳能多晶硅薄膜光电项目投资协议举行签字仪

。因此，原来需要高温下才能进行的化学反应，通过放电等离子体的作用，在较低温度下甚至在常温下也能够发生。PECVD法沉积薄膜的

多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越

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申请专利号 200610117155.9 专利申请日 2006.10.13 名称 廉价多晶硅薄膜太阳电池 公开（公告）号 CN1933185