外量子效率

外量子效率,索比光伏网为您提供外量子效率相关内容,让您快速了解外量子效率最新资讯信息。关于外量子效率更多相关信息,可关注索比光伏网。

突破限制:湿法黑硅技术的效率革命来源: 发布时间:2015-10-09 08:23:59

。 下一页 湿法黑硅技术是通过提高电池的短波响应来提高光电流。图4是典型的湿法黑硅电池与常规多晶电池的量子效率以及反射率曲线。  图4 湿法黑硅电池与常规多晶电池的外量子效率以及反射率曲线随着湿法黑硅技术

【技术动态】产业化湿法黑硅技术详解来源:阿特斯阳光电力 发布时间:2015-10-08 23:59:59

。图4 湿法黑硅电池与常规多晶电池的外量子效率以及反射率曲线随着湿法黑硅技术的成熟,阿特斯已将此技术推广到多个生产基地。该技术已成为阿特斯多晶电池新增产能的标配技术。4、结语阿特斯注重自主研发,在世界上

石墨烯加TMDC异质超薄光电结构显现光伏应用潜力来源:pv-tech每日光伏新闻 发布时间:2013-06-02 23:59:59

粒子)加强光吸收后,外量子效率在633nm和488nm均超过30%。诺贝尔奖得主,曼彻斯特大学的Novoselov教授表示:我们十分高兴看到二维原子晶体结构材料带来的新机会。目前二维原子晶体的种类已经得到

NREL研发量子点太阳能电池,多激子效应使外量子效率超过100%来源:PV-Tech 发布时间:2012-12-31 23:59:59

索比光伏网讯:据报道,美国国家可再生能源实验室(NREL)的研究人员今年年初宣布采用量子点材料制造出了外量子效率(EQE)超过100%的太阳电池,从而证实了多激子产生(Multiple
太阳电池的外量子效率首次突破100%。由于未经优化,电池转换效率仅达到4.5%。虽然效率相对较低,但在该太阳电池光电流中展示了多激子的生成仍然具有重要意义,这一结果为提高太阳电池效率开辟了一条新的路径

采用抗反射膜提高a-Si:H/μc-Si:H串结薄膜太阳能电池的转换效率来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

电流-电压(I-V)和外量子效率(EQE)特性。I-V测量在标准测试条件(STC,25℃,AM1.5G谱和1000W/m2)下进行。结果和讨论表面形貌用原子力显微镜(AFM)观察低铁玻璃上抗反射涂层的
光透射谱。T()uncoated和T()coated用分光光度计测量。EQE()uncoated是没有ARC的太阳能电池的外量子效率,用QE测试仪测量,而EQE()coated是有ARC的太阳能电池的

卓立汉光推出SCS10-FILM太阳能光伏薄膜电池专用测试系统来源: 发布时间:2012-07-31 10:51:48

。图六:功能强大的图标管理功能特点总结:1、实现内外量子效率同步测试2、双光源测试,契合IEC标准,提高测试准确性3、双路可调偏置光,轻松实现三节电池测试4、功能强大的测试软件

国际前沿太阳能光伏电池近期研究进展来源:世纪新能源网 发布时间:2012-07-15 23:59:59

光伏的外量子效率提升了600%以上,将可利用光谱波长范围扩大了200 nm。研究人员仔细加工了一层液体感光胶粘剂,采用紫外线进行固化。通过控制不同部分胶粘剂的固化速度,将应力引入聚合物材料中,在表面

双层氮化硅减反膜对多晶硅太阳能光伏电池的影响来源: 发布时间:2012-04-25 17:03:43

,反射率进一步降低。比较图1和图2还可以看出印刷正电极后整体反射率增加了4.8%左右。图2单层和双层氮化硅减反膜未封装时的反射率曲线图3给出了图2中电池对应的外量子效率,同样短波部分双层膜电池的
外量子效率高于单层膜,底层高折射率电池又会稍高出较低折射率电池(即图中double2高于double1)。这和图2是吻合的,降低电池正表面反射率,从而提高外量子效率。图3单层和双层氮化硅多晶硅电池的

太阳能电池再创纪录 外量子效率已达114% 来源:Solarbe.com 发布时间:2011-12-26 09:37:13

输出的电量并不等于它们吸收的光子数量(光粒子)。但是,由于该新型太阳能电池创造性的应用了氧化锌、硒化铅和一点金,它的外量子效率达到了114%左右。   但是,麻省理工学院注意到,即便太阳能变得足够

NREL向开发“第三代”太阳能电池技术迈出重要一步来源: 发布时间:2011-12-22 17:51:09

上,用从电极上取出的电子数与被吸收光子数之比定义的外量子效率为1141%。这对于开发第三代太阳能电池技术,可谓是重要的一步。截止目前,普通太阳能电池在光电转换时,相对于1个被吸收的光子只能产生1个电子空穴
3.44eV的紫外线,其内量子效率约为130%、外量子效率约为114%的量子点太阳能电池。由此证实了MEG可在太阳能电池中发生且能够有效利用。Nozik于1997年首次预测MEG现象能在半导体中发