激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻,研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响,分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后,激光
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3.4外量子效率测试结果
对工艺优化的激光掺杂选择性发射极太阳电池和常规太阳电池进行外量子效率的测试分析,如图3所示,从图中可以看出在300nm~520nm波段范围内,激光掺杂选择性发射极太阳电池的
诱导电流测量了每个电池的外量子效率(eqe)。在460~1000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的eqe相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出
相关生产工艺进行更加详细深入的研究。在本文中,我们将黑斑片与正常片做对比试验,结合X射线能谱(EDS)、X射线荧光光谱(XRF)及外量子效率(EQE)测试,分析了黑斑片的产生原因,给出了解决途径。
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量的长波太阳光,易于获得较高的电流密度,现有的窄带隙有机光伏活性层的外量子效率偏低,显著限制的电流密度的提升。此外,在叠层器件设计中,各子电池吸收光谱之间的互补性不够好也是限制其效率提升的瓶颈因素
: 10.1038/NPHOTON.2016.185) 基于MQW的LED表现出了高达11.7%的外量子效率、良好的稳定性,并在 100mA/cm2 的电流密度下呈现出具有 5.5% 的能量转化效率的高功率
/NPHOTON.2016.185)基于MQW的LED表现出了高达11.7%的外量子效率、良好的稳定性,并在 100mA/cm2 的电流密度下呈现出具有 5.5% 的能量转化效率的高功率性能。9.钙钛矿型氧化物
多晶电池的量子效率以及反射率曲线。 图4湿法黑硅电池与常规多晶电池的外量子效率以及反射率曲线随着湿法黑硅技术的成熟,阿特斯已将此技术推广到多个生产基地。该技术已成为阿特斯多晶电池新增产能的标配技术。4
光线获得了增益,所以效率可能不降反升。图4 单多晶电池到组件外量子效率EQE及反射率Ref-变化2)外量子效率EQE:多晶,短波区域(380-560nm区域),组件较电池更高,即该波段区域,组件对光子的
,在该长波区域,组件与电池反射率相当,组件反射的光与电池相当。从图4的单多晶电池到组件外量子效率EQE及反射率Ref-变化图可以清楚得看到短波区域(380-560nm区域)和长波区域
表面反射率大幅下降,电池实际接受到的光线获得了增益,所以效率可能不降反升。2)外量子效率EQE:多晶,短波区域(380-560nm区域),组件较电池更高,即该波段区域,组件对光子的利用率更高;而单晶
电池反射率相当,组件反射的光与电池相当。从图4的单多晶电池到组件外量子效率EQE及反射率Ref-变化图可以清楚得看到短波区域(380-560nm区域)和长波区域(900-1200nm),多晶组件较多
结果分析3.1、QE及EL测试量子效率(QE)包括内量子效率(IQE)和外量子效率(EQE)。通过收集各波段光生电流进行积分运算,可以得到短路电流,反应出不同波长的入射光转化为电子空穴对的能力。图7为
电池与常规多晶电池的外量子效率以及反射率曲线 随着湿法黑硅技术的成熟,阿特斯已将此技术推广到多个生产基地。该技术已成为阿特斯多晶电池新增产能的标配技术。 4、结语 阿特斯注重自主研发,在世界上