双面太阳电池
+ -poly-Si层，而TOPCon具有氧化硅双面钝化功能，使得Voc，Jsc，FF和Eff均为最高，分别达到729.8mV，39.98mA/cm2、0.86和24.98%。TOPCon电池与具有背场功能的Ref
最小化.然而，高掺杂会导致载流子扩散长度的减少，从而增加载流子复合。因此，在传统的p-n结c-Si太阳电池中，存在一个最佳的发射层掺杂浓度.由于TOPCon太阳电池中p+或n+多晶硅层的厚度只有30nm
近日，荷兰应用科学研究组织(TNO)、EnergyVille和Eindhoven理工大学的研究人员通过结合17.8%效率的透明双面钙钛矿光伏电池和松下研制的效率11.4%的高效背接触硅异质结电池
29.4%。在物理法则下，晶硅电池的效率提升之路正变得越来越窄。为了实现更高的光电转换效率，越来越多的研究开始关注将晶硅电池与其它的高效率电池组成叠层电池。
钙钛矿太阳电池与晶硅电池相比，能更有
也好的发展，收益也会比较乐观。
高平奇：晶体硅太阳电池转换效率极限及路径探讨
在学习了碳交易的新知识后，我们继续回到光伏产业方面，中山大学材料学院副院长/教授高平奇院长为我们带来了《晶体硅太阳电池
，实现双碳目标是一场广泛而深刻的经济社会系统性变革。
目前，晶体硅太阳电池发展现状是三种高效晶体硅太阳电池技术的路径之争。其中，HJT电池实验室1年之内达26%，再用3-5年有望达到27%，再10年
型电池除了具有转换效率高、还具有双面率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命更长等优点。从长期来看具有绝对的性价比优势。可以说，N型技术的兴起是未来必然的趋势。
目前，N型电池技术主要有
太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以
组件版型下手，这无疑会给运维成本，支架逆变器匹配性带来巨大的压力。而N型TOPCon电池，效率极限远高于PERC电池(28.2%~28.7%)。N型电池除了具有转换效率高、还具有双面率高、温度系数低
电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案
电池片技术
晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性
下降仅为 8%，衰减 速度远低于 PERC 及 TOPCon 电池。
4) 低温系数、稳定性高：在 82 摄氏度环境下，HJT 光电转换效率比传统组件高出 13%。
5) 双面率更高：HJT 为双面
) ，除了具备IBC的PN结和金属接触都处于太阳电池的背部的特性，同时还采用a-Si∶H 作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。目前实验室效率能够达到26%以上。然而，HBC电池在继承
了两者优点的同时也保留了IBC和HJT电池各自生产工艺的难点。
电池新技术层出不穷HJT技术
HJT技术简介：HJT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳电池。这一技术的 原理
提升，具备转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，为此被诸多企业所关注。
本次启动的1.2GW异质结光伏项目属于国家产业政策鼓励类项目，在技术和
。
来自上海交通大学太阳能研究所的沈文忠教授在启动会上深入分析了光伏产业快速变革时代下，为什么很多企业选择布局硅基异质结太阳电池技术。一方面，HJT太阳电池是迈向更高电池效率的基石，另一方面，HJT技术
60GW，将取代 PERC 成为第 三代电池片技术
◼ 晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率
低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性。
◼ 对比 PERC 电池，HJT 潜力巨大，将成为第三代电池片技术主流。据我们综合测算， HJT 在 25 年全生命周期综合发电量较 PERC 高 15
研究人员获得了26%的双面接触硅太阳电池转换效率，创下记录。
Mercom早些时候曾报道称，ISE研究人员直接在硅材料上研发的III-V/Si串联太阳能电池创下了25.9%的效率记录。
的主要成分为砷化镓，暴露在858纳米的激光下。
研究小组表示，除了太阳电池的传统用途外，光伏设备还可以与激光一起用于有效的电力传输。
研究人员指出，这是迄今为止获得的、将光转化为电能的最高
