双面单晶硅
：全场光伏场区单晶硅双面组件(正面420Wp及以上)。 三、申请人资格要求 3.1 通用资格条件 3.1.1 投标人为中华人民共和国境内合法注册的独立企业法人或其他组织，具有独立承担民事责任
实现单晶硅片产能11.5吉瓦和18.0吉瓦、PERC电池(包括N型)产能10.6吉瓦和10.6吉瓦、自产组件产能16.0吉瓦和22.0吉瓦。高质量低成本单晶硅片产能的提高，带动垂直一体化制造比例的显著
不断加强的一体化能力除了优化成本结构，同时使不断迭代的创新产品快速实现量产，从而在质量、成本和时间上保证产品的竞争力。未来，公司产品差异化的机会比以往任何时候都要大。无论是高能量密度产品、透明背板双面
实现单晶硅片产能11.5吉瓦和18.0吉瓦、PERC电池(包括N型)产能10.6吉瓦和10.6吉瓦、自产组件产能16.0吉瓦和22.0吉瓦。高质量低成本单晶硅片产能的提高，带动垂直一体化制造比例的显著
不断加强的一体化能力除了优化成本结构，同时使不断迭代的创新产品快速实现量产，从而在质量、成本和时间上保证产品的竞争力。未来，公司产品差异化的机会比以往任何时候都要大。无论是高能量密度产品、透明背板双面
实现单晶硅片产能11.5吉瓦和18.0吉瓦、PERC电池(包括N型)产能10.6吉瓦和10.6吉瓦、自产组件产能16.0吉瓦和22.0吉瓦。高质量低成本单晶硅片产能的提高，带动垂直一体化制造比例的显著
不断加强的一体化能力除了优化成本结构，同时使不断迭代的创新产品快速实现量产，从而在质量、成本和时间上保证产品的竞争力。未来，公司产品差异化的机会比以往任何时候都要大。无论是高能量密度产品、透明背板双面
址区外围共布置7.35MWp固定式支架。其他区域均采用平单轴跟踪支架布置。
本项目组件采用410Wp单晶硅组件，逆变器均采用175kW组串式逆变器，光伏发电经35kV升压箱变升压至35kV后汇集于
，为充分利用场区土地资源，降低子阵区风速，在场址区外围共布置5.48MWp固定式支架。其他区域均采用平单轴跟踪支架布置。
本项目组件采用415Wp、445 Wp单晶硅组件，逆变器均采用225kW
2019年7月2日-3日，由爱旭科技协办的第三届叠瓦、拼片、双面、半片与多主栅组件论坛在常州举办，各参会代表对目前行业领先技术进行了热烈探讨。会上，爱旭科技就166大尺寸电池及吉瓦级首创的双面双测双
》为题做了报告，分享了爱旭对太阳能电池发展趋势的看法，并从整体产业链角度分析了大尺寸电池的优势。何达能先生表示，当前电池技术发展趋势主要体现在大尺寸、双面、多主栅。从上游硅片端来看， 156.75
址区外围共布置7.35MWp固定式支架。其他区域均采用平单轴跟踪支架布置。
本项目组件采用410Wp单晶硅组件，逆变器均采用175kW组串式逆变器，光伏发电经35kV升压箱变升压至35kV后汇集于
，为充分利用场区土地资源，降低子阵区风速，在场址区外围共布置5.48MWp固定式支架。其他区域均采用平单轴跟踪支架布置。
本项目组件采用415Wp、445 Wp单晶硅组件，逆变器均采用225kW
ISFH测试，入选CPVS2019中国电池最高效率。而根据不同项目地的具体测算，Hi-MO4比采用158.75mm单晶硅片的组件节省BOS成本5~8分/W，比多晶组件节省15~20分/W。此外，隆基双面
，共同推动中国太阳能光伏产业进入平价上网时代。
本次会议，隆基乐叶产品经理李学锋带来《基于M6硅片的440W双面组件价值分析》的主题演讲，他就基于M6硅片的440W高功率组件的实现、系统端BOS成本的
组件功率(72版型)优势为：采用M6单晶硅片，使用目前主流PERC电池，即可实现440W以上组件功率;功率为440W的Hi-MO4双面组件效率达19.9%。
李学锋表示，M6在电池端可以兼容现有的管式炉
、晶体硅光伏组件技术发展、光伏产业发展前景展望等进行了讲解。
沈辉教授表示，光伏发展经历了从1954年的电话机供电需求，单晶硅太阳电池研制，到2007年多晶硅电池产量超过单晶硅，再到现在的新能源时代
温控在底层的颗粒硅半熔化，然后在辅料硅内长晶，最终形成鑫单晶硅锭。
周英杰强调，测试结果表明，铸锭单晶具有高电性能可靠性，铸锭单晶的含氧量比单晶低40%，使其LID表现突出，鑫单晶组件光衰LID均值
电池和组件的各项技术、高可融资性等优点。
周英杰表示，目前，协鑫的半片组件和半片双面组件的166鑫单晶产品组合平均功率达430W，而且166尺寸的鑫单晶的组件功率和效率和单晶持平。
那么，跟单晶
