原子

，改变了原子之间的作用力。最终实现了材料禁带宽度的改变，在 1. 04～1. 7eV 范围内可以根据设计调整，以达到最高的转化效率。 2、 CIGS 电池制作方法比较 CIGS 薄膜太阳能电池的底
影响薄膜的均匀性和致密性。衬底温度高低不 同，会直接影响表面沉积原子的运动，反蒸发和结晶过程。适中的衬底温度，有利于形成平整的薄膜表面。沉积速率过高，原子来不及通过热运动到达晶格位置，可能引起空

研究了激光掺杂选择性发射极太阳电池工艺中不同激光功率对磷原子掺杂浓度、硅片表面损伤程度的影响及发射极方阻与电池串联电阻随激光功率的变化情况。通过对磷原子浓度分布曲线的观察，阐明了磷原子浓度对选择性

。 本文针对层压前半成品组件造成返工的隐裂因素进行分析与研究，并提出整改措施。引起层压前电池片隐裂的原因是多方面的，下面逐项进行分析。 1单多晶类型 单晶电池片中，硅的所有原子排列短程有序、长程也有
序;多晶电池片中，硅原子排列仅短程有序，存在晶界(如图2所示)。由于多晶体晶界之间存在一定的作用力，当受到外力时，在晶界之间的相互作用力下，多晶电池片一定程度上不会破碎。相比之下，单晶电池片会比

成本偏高高效组件的需求量减小，降级组件与低效组件一时间可能成为网红爆款。 07 电费补贴 优质地区的地方补贴在逐渐出台，而小编在此想说，没有原子弹的中国都打败了东洋岛国，有了核武器的天朝还会惧怕

，提高了电池片的转换效率，因此又称SiN减反射膜;由于SiN膜中含有一定比例的H原子，因此硅片表面结构致密，具有非常好的抗氧化性和绝缘性，可以阻挡金属离子及水蒸气的侵蚀，还可以耐酸碱腐蚀，因此沉积SiN膜

等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
原子层沉积设备在硅片上制备了Al2O3薄膜，发现其可有效改善钝化性能使其有效少子寿命达到100s以上，将表面复合速率降低到100cm/s以下，说明Al2O3薄膜具有良好的钝化性能。文献中采用PECVD

特性,即等离子体中的分子、原子、离子或活性基团与周围环境相同。而非平衡电子则由于电子质量小,其平均温度可以比其他离子高1至2个数量级。因此,引入的等离子体使得沉积反应腔体中的反应气体被活化,并吸附
16.639nm/min时,随着温度的继续上升,沉积速率开始减小。这是由于当温度上升时,热能传给气体,气体的动能增加,导致原子、中性原子团,等离子体的密度增加,沉积到硅片表面的数量增加,从而沉积速率增加;当温度继续

PERC电池转换效率之间的关系，探讨烧结过程对PERC电池性能的影响及其内在机理。 1 Al2O3对硅的钝化机理 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的