厚度

PVDF和PET背板的老化减薄速率也会表现出较大差异，这可能是由于各自成分组件差异较大;若以此老化减薄速率计算，一款25m PVDF为外层的背板，在8年内，PVDF经侵蚀后所剩的厚度就会低于保护背板所需
10m的最低厚度，而Tedlar PVF的老化减薄速率仅有0.34m/年，以此速度计算Tedlar 25m PVF为外层的背板可以使用超过30年。 同时，美国空间站的数据也与上述户外组件

应力引起。 C ●制约硅片厚度，如果硅片太薄，同样是由于应力引起电池裂片，组件成品率低、衰减增加、可靠度降低。 D ●由于金属腐蚀(水汽渗透、酸性物质的释放)所造成的组件衰减增加、可靠度降低
。 叠瓦组件通过柔性连接，应力有效地消弭于每小片电池之间，电池隐裂较常规组件大幅度降低，还能够容纳厚度减低20-40%的超薄硅片;无主栅、无焊带的抗腐蚀设计，也增加了受光面积，并极大地提高了组件可靠度;全

：我认为下一代更合适的单晶硅片尺寸为160mm厚度、158.75mm边长的方形单晶硅片。理由如下： 1、158.75mm边长的硅片比现有156.75mm的硅片仅长2mm，现有的全部产能都能通过技术改造
之相对应的更薄的EVA，虽然组件面积增大1%，组件整体总重量保持不变。对于安装运输等环节把不利影响降低到了最小。 4、生产158.78mm的方形单晶硅片拉晶体环节和硅料环节的成本有所增加，但硅片厚度

技术带来的薄片化 从2017年到2018年，全行业完成了砂浆切割到金刚线切割的技术改造升级。随着金刚线越来越细，薄片化成为一种趋势。2016年，主流硅片的厚度还是200m以上，目前180m才是主流

，使得产品拥有高柔韧性、高转换率，超薄厚度、超轻重量、安装便捷、外观新颖等优势。 该款组件通过了弯曲性能测试。测试结果显示，组件在不同弯曲半径情况下，保持10分钟，测试I-V及EL
首席科学家、澳大利亚新南威尔士大学教授、超高效光电学研究中心主任马丁格林教授在现场介绍道：微裂纹情况下，Isc无明显变化;Voc会显著降低，这主要与缺陷处的复合有关。 将原来180微米厚度的单

，MWT单晶电池计划导入140um厚度的超薄硅片和体钝化技术，降低材料成本0.2元/W，同时将单晶平均电池转化效率提升到22.5%以上;多晶电池将导入PERC背钝化技术，电池平均转化效率达到20.5%以上

2017年的35%提升到2018年的99%，尤其对多晶硅片成本下降有明显帮助。 随着金刚线母线直径及磨粒粒径的降低，以及硅片厚度下降，每公斤方棒/方碇的出片量将增加。截至2018年单晶方棒出片量62片

铸造的方法要单晶，在底部要铺一层籽晶，这个籽晶是用但晶切割下来，切割下来切成156乘156，然后铺在干锅的底部，而这样一个干锅这样一个晶体是需要成本的，它的厚度是在2个毫米左右，加工需要精养，控制
比较复杂。这个增加了一个成本，所以目前现在大家正在研究的如何降低这个厚度，能不能籽晶厚度从两个毫米降低到一个毫米，这个籽晶能不能重复应用，这个硅单经我们能不能用边皮料，或者说我们希望用无籽晶的技术来成长类

满足整个建筑三分之一的用电需要，而且，厚度不超过1mm的蓝色的单晶硅太阳电池贴在墙面上，还能起到装饰作用。楼顶是2000m2的热管真空太阳能集热器，可满足大楼夏天的空调和冬天的部分供暖和生活热水。美国