印刷工艺

。 研究内容：主要开展包括碲化镉、铜铟镓硒薄膜、硅薄膜等太阳能电池产业化技术研发、大面积柔性硅基薄膜电池组件的规模化生产工艺研发，以及Ⅲ-Ⅴ族化合物电池、铁电-半导体耦合电池及铁电-半导体耦合
HIT电池和IBC电池的25MW示范生产线。 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行HIT太阳能电池产业示范线关键技术研究和示范，进行IBC

HIT 电池和 IBC 电池的 25MW 示范生产线。 《能源技术创新“十三五”规划》 45 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材 料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行
等太阳 能电池产业化技术研发、大面积柔性硅基薄膜电池组件的规模化 生产工艺研发，以及Ⅲ-Ⅴ族化合物电池、铁电-半导体耦合电池 及铁电-半导体耦合/晶体硅叠层电池、钙钛矿电池、染料敏化电 池、量子点电池

%， 建成 HIT 电池和 IBC 电池的 25MW 示范生产线。 《能源技术创新十三五规划》 45 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材 料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行
、硅薄膜等太阳 能电池产业化技术研发、大面积柔性硅基薄膜电池组件的规模化 生产工艺研发，以及Ⅲ-Ⅴ族化合物电池、铁电-半导体耦合电池 及铁电-半导体耦合/晶体硅叠层电池、钙钛矿电池、染料敏化电 池、量子点

电池结构，制作工艺可以兼容，使得制备成本降低。 　　如下图1所示为N型硅电池的结构。从图中看出电池发射极位于电池之前，在制备工艺上，采用硼掺杂制备发射极，磷掺杂制备N+背场。由于N+磷背场代替常规P型
硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的P+铝背场，同时背面电极也采用与前面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光，从而提高电池的单位面积发电量。 　　此双面发电电池是钝化发射极且背表面全扩散电池，也是

，使得制备成本降低。如下图1所示为N型硅电池的结构。从图中看出电池发射极位于电池之前，在制备工艺上，采用硼掺杂制备发射极，磷掺杂制备N+背场。由于N+磷背场代替常规P型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的P+铝
表面硼发射极高效率N型硅太阳能电池和组件(被命名为PANDA熊猫技术)。相对于HIT、IBC和PERL等结构，PANDA熊猫技术的优势在于和普通的P型硅太阳电池具有相同的电池结构，制作工艺可以兼容

，不断优化工业产品结构。支持重点行业改造升级，鼓励企业瞄准国际同行业标杆全面提高产品技术、工艺装备、能效环保等水平。严禁以任何名义、任何方式核准或备案产能严重过剩行业的增加产能项目。强化节能环保标准约束
、重点领域工业特征污染物削减计划。全面实施燃煤电厂超低排放和节能改造，加快燃煤锅炉综合整治，大力推进石化、化工、印刷、工业涂装、电子信息等行业挥发性有机物综合治理。全面推进现有企业达标排放，研究制修订

全生命周期绿色管理，不断优化工业产品结构。支持重点行业改造升级，鼓励企业瞄准国际同行业标杆全面提高产品技术、工艺装备、能效环保等水平。严禁以任何名义、任何方式核准或备案产能严重过剩行业的增加
为重点，实施重点行业、重点领域工业特征污染物削减计划。全面实施燃煤电厂超低排放和节能改造，加快燃煤锅炉综合整治，大力推进石化、化工、印刷、工业涂装、电子信息等行业挥发性有机物综合治理。全面推进现有企业

设计水平，发展面向新应用的芯片。加快16/14纳米工艺产业化和存储器生产线建设，提升封装测试业技术水平和产业集中度，加紧布局后摩尔定律时代芯片相关领域。实现主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)、超高
清(4K/8K)量子点液晶显示、柔性显示等技术国产化突破及规模应用。推动智能传感器、电力电子、印刷电子、半导体照明、惯性导航等领域关键技术研发和产业化，提升新型片式元件、光通信器件、专用电子材料供给