单晶铸锭

单晶铸锭,索比光伏网为您提供单晶铸锭相关内容,让您快速了解单晶铸锭最新资讯信息。关于单晶铸锭更多相关信息,可关注索比光伏网。

协鑫集成"鑫单晶"组件实现突破性量产 四季度可面向全球供货来源: 发布时间:2018-10-14 23:59:59

扶贫项目中标,陆续交付的“鑫单晶”组件平均量产功率超过305W,远高于领跑者多晶组件295W的标准。 “鑫单晶”组件兼具多、单晶组件技术优点,实现量产出货表明了铸锭单晶技术的成熟应用以及市场的认可,将为

协鑫集成"鑫单晶"组件亮相2018年美国国际太阳能展来源: 发布时间:2018-10-14 23:59:59

,保利协鑫通过高品质的多晶硅硅料,运用改良热场、添加籽晶、优化掺杂等铸锭方法与技术,产品具有电阻率低、杂质含量少、100晶向面积多、氧含量低、结构整齐等高品质硅锭优点,并具备单晶硅结构归一的技术特点和铸锭

光伏平价“生死劫”:唯有性价比!来源:黑鹰光伏 发布时间:2018-10-09 11:02:58

,协鑫集成宣布,以保利协鑫铸锭单晶硅片为材料的鑫单晶高效组件产品实现量产,平均量产功率超过305W,高于领跑者多晶组件295W的标准,目前包括领跑者及光伏扶贫在内的多个项目正陆续交货。 预计四季度
实现全球批量出货,2019年可形成3GW鑫单晶高效组件产能。保利协鑫晶切二部副总裁金善明表示,持续降低的多晶硅料成本、持续降低的铸锭能耗及综合成本、金刚线切片匹配黑硅PERC技术将成为助推平价新光伏的三

国庆黄金周,保利协鑫四季度冲刺的第一周来源:索比光伏网 发布时间:2018-10-08 15:52:33

推动光伏平价上网的主力军。 9月25日,协鑫集成鑫单晶高效组件重磅亮相2018年美国国际太阳能展(SPI),保利协鑫提供的铸锭单晶硅片显示了低成本高效率的性价比。目前,鑫单晶高效组件可实现

战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(太阳能产业篇)来源:光伏事 发布时间:2018-09-28 10:54:46

换热器、熔融盐泵、蒸汽发生器、滑参数汽轮机、斯特林发电机、有机郎肯循环发电设备、高聚焦比太阳炉。 太阳能生产装备 光伏装备。包括高纯度、低耗能太阳能级多晶硅生产设备、单晶硅拉制设备、多晶硅铸锭装备
砷化镓、硅基薄膜、碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿、聚光等新型光伏电池和组件。 光伏电池原材料及辅助材料。包括单晶硅锭/硅片,光伏电池封装材料,有机聚合物电极,光伏导电玻璃(TCO玻璃等),硅烷,专用银浆

协鑫集成“鑫单晶”组件亮相2018年美国国际太阳能展来源:协鑫集成科技公众号 发布时间:2018-09-28 10:12:38

通过高品质的多晶硅硅料,运用改良热场、添加籽晶、优化掺杂等铸锭方法与技术,产品具有电阻率低、杂质含量少、100晶向面积多、氧含量低、结构整齐等高品质硅锭优点,并具备单晶硅结构归一的技术特点和铸锭成本低的

连续拉晶渐成单晶拉棒技术主流 有助降低光伏度电成本来源:中国证券网 发布时间:2018-09-27 11:44:12

提高效率和降低成本一直是光伏行业的努力方向。近年来,从硅片、电池到组件等环节一系列的技术革新,持续提升光伏发电的转换效率,并降低了度电成本。在此背景下,改进和优化单晶拉棒、多晶与类单晶铸锭等硅
。2018年4月,保利协鑫公告将在云南曲靖建设20GW CCz单晶产能。2018年8月,隆基股份宣布与爱旭太阳能签署CCz高效单晶合作协议。 与此同时,多晶铸锭工艺正在从G6铸锭炉向G7甚至G8技术

台湾太阳能2.0计划:地方政府与光伏行业密切合作的罕见一例来源:PV-Tech 发布时间:2018-09-26 17:09:45

是制造业的整体重组,从c-Si铸锭到组件,中国台湾确定了新的发展重点和商业方向将会出现,即启动了所谓的台湾太阳能2.0计划。 本文讨论了引领台湾太阳能2.0计划发展的一般性因素以及这一计划的2019
生产线可以快速从多晶转换至单晶,然后再次实现轻松转换。 继欧盟和美国采取反倾销措施、中国单一业务公司崛起、隆基单晶效应之后,台湾遭遇了多年亏损的困境。除了下文中列出的几种例外情况外,至2018年年

江苏高邮政策出台 助力光伏产业发展来源:阳光工匠光伏网 发布时间:2018-09-26 10:05:12

按编者:近日,中共高邮市委、高邮市人民政府发布了关于支持光伏产业平稳发展有关事项的通知,对多晶硅铸锭单晶硅拉晶生产环节,月用量电量达100万千瓦时(含)以上的,按0.15元/千万时的标准对企业进行

前8月工业硅、多晶硅价格先扬后抑 硅产业正处价值洼地来源:证券日报 发布时间:2018-09-25 09:41:22

使多晶电池效率提升0.08%-0.10%。 保利协鑫方面介绍,其此前推出铸锭单晶与Cz单晶PERC电池的平均效率差在0.3%以内,由于面积及氧含量优势,组件功率甚至高于CZ单晶。 在切割硅片环节