,166铸锭单晶硅片将开始量产,铸锭单晶硅片每月出片数将超过一亿片。同时保利协鑫将在2019年内会推出鑫单晶G4,进一步缩小与单晶效率的差距到0.2以内,另外加上面积的优势,可以与同边长尺寸圆角单晶组件做到同瓦输出,并且大幅改善电池效率分布,同时衰减也可以大大降低。
7月4日,PV Infolink发布了光伏产品最新现货价格表。数据显示,金刚线切割的多晶硅片价格稍有下降,平均为1.87元/片,而单晶硅片的平均价格仍为3.12元/片,价差达到1.25元/片的
水平。
同时,随着铸锭单晶产品实现批量供货,各平台纷纷将铸锭单晶硅片、电池片价格列入每周统计。以PV Infolink为例,158.75mm铸锭单晶硅片的价格为2.85元/片,比同样尺寸的单晶硅
本文摘要
在晶体硅太阳能电池中,金属-半导体接触区域存在严重的复合,成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成,可以显著降低金属
太阳能电池被开发,如 PERC、IBC、HIT、TOPCon等,同时太阳能电池转换效率越来越接近其理论极限。纵观单晶硅太阳能电池世界效率纪录的提升历史,会发现效率提升有三个比较快速的时期。前两个分别
,电池效率分布很广,有10-20%低效电池;三是全单晶比例偏低(30%),出现大量2、3类片(大晶花,高位错);四是拼接缝在硅片上引起色差。
在日益追求产品效率的光伏行业,上述四点原因也注定了铸造单晶
可以进一步降低成本;硅片晶花分选可以更好的解决组件外观问题。针对上述四点原因,协鑫一一攻克。
在外观方面,协鑫方面宣称,鑫单晶硅片采用金刚线切割,外观与常规多晶硅片相似,采取碱制绒后与直拉单晶无明
太阳能量,依目前在实验室研发的硅基太阳能电池来看(非硅空气电池),单晶硅电池效率为25.0%,多晶硅电池效率为20.4%,CIGS薄膜电池效率达19.8%,CdTe薄膜电池效率达19.6%,非晶硅薄膜
第一代黑硅片优良的绒面结构,而陷光性能更优。经验证,TS+黑硅在上一代黑硅的基础上,电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点,总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术,使得硅片制绒
电池效率再创新高
2017年5月,天合光能自主研发的大面积6英寸全背电极太阳电池(IBC)效率超过24%,达到24.13%,开路电压超过700mV。这一结果经过了日本JET的第三方测试认证,标志着
层对光的吸收,电流有所损失,因此将钝化接触用在正面无遮挡的背接触设计中就成为了一个两全齐美的解决方案。日本钟化公司正是采用异质结背接触技术取得了目前单晶硅电池的世界最高效率。此次ISFH效率达到
26.1%效率的电池采用了FZ法的p型单晶硅片,电池面积4cm2,开路电压726.6mV,短路电流密度42.6 mA/cm2,填充因子84.3%。
ISFH的Rolf Brendel教授表示,我们的
3月1日,工信部印发《光伏制造行业规范条件(2018年本)》,强调严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。在新建和改扩建企业及项目产品应满足的条件中,要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别
技术解决了金刚线切多晶硅片的反射率过高问题,由于表面反射率的降低,硅片光吸收能力提升,还能附带一定电池效率的提升。因此,金刚线切多晶硅片搭配黑硅技术的工艺,既能降低硅片成本又能提升电池效率,是多晶电池
,得出采用硅粉籽晶生长硅晶体晶粒均匀性最好,并能提高整锭电池效率。朱笛笛等得出0.154mm粒径范围的多晶硅颗粒籽晶的引晶效果好,并能提高电池的光电转换效率。晶澳太阳能的黄新明等用Si3N4包覆
SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶,能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片,诱导形核来抑制位错,降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。
2.2
电池产品增添了新的成员,铸锭单晶硅片在通威等一线电池大厂步入大批量应用和出货阶段。
据笔者了解,同种PERC电池工艺条件下,目前铸锭单晶电池的平均效率与直拉单晶比,差距已在0.3%以内。按单晶PERC
电池效率22.0%、铸锭单晶PERC电池效率21.7%、以及二者保持相同的CTM、取97%计算,60片156.75(M2)尺寸的直拉单晶PERC组件功率均值约为312.8瓦,60片158.75直拉单晶