单晶硅电池效率

技术的研究中取得新进展。该创新团队利用自主设计生产的KMT-200A型原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果
。原子层沉积技术是一种有序的气相薄膜生长技术，具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率，通过原子层沉积氧化铝薄膜对硅片表面进行钝化，可以大幅度提高太阳能电池效率，被业界普遍认为是未来新一代晶硅太阳能电池

原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展
原子层沉积氧化铝薄膜对硅片表面进行钝化，可以大幅度提高太阳能电池效率，被业界普遍认为是未来新一代晶硅太阳能电池技术发展的重要趋势。

原子层沉积设备，在p型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展
原子层沉积氧化铝薄膜对硅片表面进行钝化，可以大幅度提高太阳能电池效率，被业界普遍认为是未来新一代晶硅太阳能电池技术发展的重要趋势。

。 《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并环保网光伏系统
成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 为保证《规划》顺利实施，科技部提出将

。《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用
自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入，鼓励企业

科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用
自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入

下游市场份额，让这一领域更难预料，在2013年多晶硅价格下降到20美元每公斤以下也不是不可能的。 技术路线图问题仍然是晶硅中游制造产业链的关注焦点。准单晶技术真的能使电池效率突破(P型)多晶被局限的边界
吗？还是在整个价值链的成本降低计划被实现之后，这只是低成本单晶硅生长技术出现之前的一种短期方案？我们与价值链上各方的讨论表明，准单晶技术的推广还面临许多不确定性，目前还只有有限的证据来提振对此技术的

仍然是晶硅中游制造产业链的关注焦点。准单晶技术真的能使电池效率突破（P型）多晶被局限的边界吗？还是在整个价值链的成本降低计划被实现之后，这只是低成本单晶硅生长技术出现之前的一种短期方案？我们与价值链上

，未来p-type单晶硅晶圆的市场恐将被高效多晶的产品给取代。以目前电池效率走势来看，电池厂在高效多晶产品的转换效率上看17.8%，而在p-type单晶的转换效率则是上看20%以上；然而在原物料价格方面
上已达到小数点后三位。另一方面，由于高效多晶硅晶圆的效率持续提升，加上市场价格快速下滑，其性价比方面已优于传统p-type单晶硅晶圆，相关业者认为，由于高效多晶（包含传统高效与类单晶）产品质量不断提升

）产品质量不断提升，未来p-type单晶硅晶圆的市场恐将被高效多晶的产品给取代。　　以目前电池效率走势来看，电池厂在高效多晶产品的转换效率上看17.8%，而在p-type单晶的转换效率则是上看20%以上；然而
价格计算精度上已达到小数点后三位。另一方面，由于高效多晶硅晶圆的效率持续提升，加上市场价格快速下滑，其性价比方面已优于传统p-type单晶硅晶圆，相关业者认为，由于高效多晶（包含传统高效与类单晶