单晶硅电池效率

大到小排序一次是组件、多晶硅、电池片、硅片。受光伏下游需求影响，上游产能过剩，利润率出现下滑。光伏产业太阳能电池和光伏组件安装服务环节是目前光伏产业较值得投资的环节。 具体而言，在未来10年内，单晶硅
太阳能电池仍是太阳能电池行业最重要的来源，虽然成本较高，但是由于单晶硅太阳能电池具有较高的转化率，仍然占据相当大的一部分市场，并且在未来几年还将保持较为高速的增长态势。 然而，太阳能级单晶硅技术目前

较低。要进一步提高电池效率，通常需要对p-Si电池背表面实现有效的钝化，通常可以采用Al2O3作为钝化层。这一额外的Al2O3钝化层制作工艺增加了电池的工艺复杂度，不利于电池成本的缩减。中科院宁波材料
技术与工程研究所万青课题组在晶体硅太阳能电池表面减反及表面钝化技术方面取得进展。首先对单晶硅片进行表面绒面制作，经过清洗处理后，在绒面表面上沉积Al2O3薄膜，通过调整Al2O3薄膜的厚度可以调整电池

产品已经上市。另一项公布的技术为先进镀层技术，据称该技术可以降低银浆用量减少成本，可以使单晶硅电池效率达到19.65%。单晶硅电池CELCO技术在旭泓原有的创新工艺基础上增加了背面钝化和背面局部接触
Energy）发表了两项技术突破，其中一项是名为CELCO的电池技术，通过结合背面钝化和局部背电极技术，采用6寸（156x156mm）p型Cz单晶硅片生产出CELCO电池的效率可以达到20.2%，目前该

比较高，电池的效率较低。要进一步提高电池效率，通常需要对p-Si电池背表面实现有效的钝化，通常可以采用Al2O3作为钝化层。这一额外的Al2O3钝化层制作工艺增加了电池的工艺复杂度，不利于电池成本的缩减
。中科院宁波材料技术与工程研究所万青课题组在晶体硅太阳能电池表面减反及表面钝化技术方面取得进展。首先对单晶硅片进行表面绒面制作，经过清洗处理后，在绒面表面上沉积Al2O3薄膜，通过调整Al203薄膜的

取得更高转换效率的现有技术进行部分调整。叠印、选择性发射极、发射极穿孔卷绕之类的技术属于这一列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。第二种方案涉及到有关单晶硅N型
太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池(InterdigitatedBackContact,IBC)以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅

列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。 　　 第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池
(Interdigitated Back Contact,IBC) 以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅N型太阳能电池转换效率的创新之举。 　　 IBC步骤多于20

上。1974年，夏普是日本唯一把硅太阳能电池应用在太空上的制造商。另一个里程碑是1980年，安装了单晶硅太阳能电池的电子计算机的问世。2010年，夏普拥有年1070MW的产能，并且据IKK2011年的
到组件完整的生产线，2005年12月，30MW的单晶硅片生产线投产。据公司方透露，截止2010年，该公司拥有750MW铸锭和切片产能和1.2GW电池和组件的产能。2011年，该公司计划将铸锭切片

单晶硅太阳电池效率就达到了20%，多晶硅电池也达到了14.5%。而今随着类单晶、选择性发射极等技术的出现，即使是大规模量产它们各自的效率也要高于上述数据，而成本却以每年7.5%的速度下降。同时，薄膜

P.Pappaport，J.J.Loferski和E.G.Linder发表锗和硅p-n结电子电流效应的文章。1957年Hoffman电子的单晶硅电池效率达到8%；D.M.Chapin，C.S.Fuller和
G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9