,这种夹层在光线下可以看到五颜六色的光泽。酸洗也不能除去这种氧化夹层。由于这种氧化夹层的存在,用多晶硅拉制单晶硅时会产生硅跳。为了消除氧化夹层,一般应注意做到:① 严格控制入炉氢气的纯度,保证氢中的氧
芯接触良好,避免硅芯亮点出现。7、爆米花问题:爆米花问题是多晶硅还原生产中不可避免的现象,其主要是由于炉内温度过高、硅棒生长过快引起的,具体参见前文温度对还原的影响中所述。由于其与单炉重量、电耗、生长
亿元,同比下降12.08%;EPS:0.90元。 二、 分析与判断 多晶硅铸锭炉业务拖累整体业绩2011年1-6月份,全自动单晶硅生长炉收入为3.06亿,同比上升58.21%,毛利率为56.27
科技有限公司提供的直拉生长法(CZ);该公司将引进单晶炉(MCZ-6000HB)200台、刀开方(QF210)60台、线开方(MBS1000)6台、线切片(HCT262) 20台等先进设备。
洛阳中先硅业有限公司投资的16.5亿元的300MW太阳能单晶硅片项目于近日开工,预计10月份投产。据悉洛阳中先硅业有限公司成立于2009年4月,改工艺技术由洛阳晶辉新能源科技有限公司与洛阳晶像硅业
,新建办公楼,综合楼,生产车间,仓库。项目建成后年产300兆瓦太阳能单晶硅片。专案的主要设备包括熔单晶炉、双管退火炉、切片机、磨片机、倒角机、硅片综合检测仪、电阻率测试仪、切割机等。洛阳中先矽业有限公司
成立于2009年4月,经营范围为矽产品生产和销售,公司所在地位于洛阳市洛龙科技园区。公司年生产规模300MW(兆瓦)太阳能单晶硅片项目,以多晶矽为原料,采用直拉生长法(CZ)生长出单晶矽棒,后经多线切割技术加工成不同规格的太阳能单晶硅片,应用于光伏发电等诸多领域。
公司的高性能铸锭炉DSS系列和HiCz连续直拉法生长技术的业务,以及该公司的全球制造和现场服务业务。GT总裁兼首席执行官TomGutierrez表示:随着公司的不断增长和多样化,我们需要增加
,降低每瓦成本,提高太阳能对传统能源的竞争力。他还会涉及HiCz连续直拉法生长技术。TomGutierrez表示:我们很幸运,有VikramSingh博士这样拥有超过二十年设备领域经验和技术的领导者
分别发出18台、101台多晶硅铸锭炉,加上2008年向其销售的单晶硅生长炉等,对赛维的销售合计占京运通当年销售收入比例分别为34.17%和50.87%。2010年以来,京运通未向赛维交付多晶硅铸锭炉
单晶硅(100)面的解离面是(111),因此单晶电池的隐裂一般沿着硅片的对角线方向的X装图形。但是由于多晶硅片存在晶界的影响有时很难区分晶界与隐裂,见图4区域。图3 单晶隐裂EL测试图 图4 多晶隐裂
发光强度下降或不发光。图5 断栅EL测试图2.4 烧结缺陷一般而言,烧结参数没有优化或设备存在问题时,EL测试图上会显示网袋印(图6)。采用顶针式或斜坡式的网袋则可有效消除网袋问题,图7是顶针式烧结炉里
239万元、648万元和963万元,占主营业务收入比例都在3%左右。招股书中关于核心技术研发的信息披露称,发行人第一大股东周凯平在公司成立之前即进行了大量的单晶硅生长炉研发工作,2006年3月份,周凯平
股东周凯平在公司成立之前即进行了大量的单晶硅生长炉研发工作,2006年3月份,周凯平组织了包括机械、电气、工艺等方面的专业人员,进行前期研发工作。2007年3月份,程旭兵加入了研发团队并全面负责后续研发
了网络单晶硅炉管理系统的开发,实现对单晶炉工艺状态的实时监控,并可对单晶炉生产过程进行风险预警;MCZ-6000KC全自动太阳能硅单晶炉,突破了自动引晶的关键性环节,实现了一键式全自动拉晶等。同时