单晶硅炉

。 硅片:金刚线切割渗透接近尾声 硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法，对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。 二是切片环节，目前主要采取金刚线切割的方式

非硅成本下降31.75%;产能扩张加速，预计单晶硅片产能到2020年可达到65GW，较原规划时间提前1年)、通威股份(单晶PERC电池龙头，有望受益于电池片价格企稳回升)、晶盛机电(下游单晶硅片产能扩张带动单晶炉需求，公司业绩有望迎来增长拐点)。

成本下降31.75%;产能扩张加速，预计单晶硅片产能到2020年可达到65GW，较原规划时间提前1年)、通威股份(单晶PERC电池龙头，有望受益于电池片价格企稳回升)、晶盛机电(下游单晶硅片产能扩张带动单晶炉需求，公司业绩有望迎来增长拐点)。

，约占市场份额的90%，大面积商品化电池效率单晶硅为16%至20%，多晶硅为15%至18%。此外，非晶微晶硅薄膜太阳能电池发展训读，占全球光伏组件销量的10%至15%。非晶硅与微晶硅叠层电池效率在8%至
、美国和日本的七大生产商处于绝对垄断的地位，我国针对该情况，主要引进俄罗斯的改良西门子法，但存在技术差距，导致产能较低。在硅锭和硅片的工序环节上，国际单晶、多晶技术都相对成熟;我国单晶硅拉制技术比较成熟

。 光伏超低价格时代来临，单位面积效率提升结合单位面积组件成本的下降相结合是未来的发展大趋势。在此种情况下，铸锭单晶已经成为市场上被接受的有竞争力的产品，市场占有率正在快速提升。 铸锭单晶采用铸锭炉
，以定向凝固的方式进行晶体生长，产出铸锭单晶大锭，与常规多晶铸锭相比，主要差异在于底部籽晶采用单晶短方锭铺设，以及独创的铺设晶向及方法。 硅片外观上，铸锭单晶硅片采用金刚线切割，外观与常规单晶类似，与

发展趋势，而且随着技术进步和单位投资大幅降低，能源价格已成为影响多晶硅成本的最大因素。下游市场变化对多晶硅品质提出了更高要求，金属杂质、碳、氧含量等指标对连续拉晶和N型单晶硅成品率有较大影响，国内
永祥股份有限公司多晶硅技术负责人 冉祎 更大的还原炉，可以节省电耗、建设投资，仍会是未来发展的重点方向。不能因为72对棒应用不好就轻易否定超大型还原炉，目前72对棒的设计及控制经验，有助于推动

不断扩大，铸锭单晶再度进入大家的视野。 铸锭单晶，是指采用多晶铸锭炉，在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶硅片。游达表示，协鑫的铸锭单晶
G3产品由于采用定向铸锭工艺，无论是外观还是内在的位错密度，都无限接近直拉单晶硅片，凭借多晶的低成本、单晶的高效率受到业界广泛关注。 从生产制造的过程看，铸锭单晶不必使用致密料，仅多晶硅料成本一项

单晶硅片的常规电池功率为285瓦，由硅片品质带来的功率差为三个档位。这三个档位的功率差折算到硅片价格差上为0.6~0.8元，就是说，在常规电池为主流的2016年，单晶硅片最多卖贵0.8元/片。再多
品质的要求，由硅片品质所引发的功率差扩大到了5~6个功率档，这个时候高品质的单晶硅片的合理价格差被拉大，参照近期的价格数据，我们可以看到，1.8元的多晶硅片比比皆是;而3.1元的单晶硅片供不应求。硅片

，铸锭单晶就契合这些要素，且具有超高的性价比。 协鑫铸锭单晶采用铸锭炉，以定向凝固的方式进行晶体生长，产出铸锭单晶大锭。与常规多晶铸锭相比，主要差异在于底部籽晶采用单晶短方锭铺设，以及独创
G3硅片晶粒面积不超过1%，电池片与组件上已经鲜有晶花。 相对于直拉单晶，铸锭单晶具有低衰减的优势。这主要是因为铸锭单晶硅片氧含量为直拉单晶硅片的50%左右，甚至更少，这样可以有效降低硼氧复合体带来的

)硅片：该环节设备包括前道长晶设备和后道切片设备，前道设备主要有单晶硅生长炉(拉棒)和多晶硅铸锭炉(铸锭)，工艺较为稳定，大硅片是主攻方向;后道设备有切片机和金刚线，未来薄片化切割为发展趋势; 2