单晶硅坩埚

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解析:单晶多晶组件CTM差异分析来源:光伏新闻 发布时间:2016-03-30 09:35:22

解决单晶组件光学损失的方法。 3.2、B-O复合损失 由表1的实验结果,不难发现单晶电池LID较多晶电池严重,这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚,石英坩埚
在高温时与硅溶液反应,生成SiO2,这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5,影响电池片的输出功率,最终增加了单晶硅电池的LID光衰

【干货】单晶多晶组件CTM差异分析来源: 发布时间:2016-03-30 09:09:59

。3.2、B-O复合损失由表1的实验结果,不难发现单晶电池LID较多晶电池严重,这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚,石英坩埚在高温时与硅溶液反应,生成SiO2,这样
使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5,影响电池片的输出功率,最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长,主要工艺步骤

多晶组件的CTM损失少于单晶组件的成因分析来源:世纪新能源网 发布时间:2016-03-29 23:59:59

寿命低的BO5,影响电池片的输出功率,最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。   多晶采用铸锭的方式生长,主要工艺步骤为加热,融化,长晶,退火,冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走
原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚,石英坩埚在高温时与硅溶液反应,生成SiO2,这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子

【深度】2016最新单晶VS多晶对比分析来源: 发布时间:2016-03-21 08:37:59

国内外光伏主流企业和投资商开始注意到单晶硅片相比多晶硅片具有更高的性价比,单晶代表着未来的趋势,这种认可度2015年以来开始呈现爆发之势。典型的风向标是领先的薄膜和光伏项目开发商First Solar于
2013年4月收购了产能100MW的美国单晶企业TetraSun;SolarCity于2014年6月收购Silevo并规划1GW单晶电池工厂;茂迪、昱晶及旭泓等台系电池厂纷纷扩张单晶硅电池产能;保利协鑫

单晶VS多晶对比:单晶稳步提升市场份额来源:索比光伏网 发布时间:2016-03-18 15:20:48

国内外光伏主流企业和投资商开始注意到单晶硅片相比多晶硅片具有更高的性价比,单晶代表着未来的趋势,这种认可度2015年以来开始呈现爆发之势。典型的风向标是领先的薄膜和光伏项目开发商First Solar于
2013年4月收购了产能100MW的美国单晶企业TetraSun;SolarCity于2014年6月收购Silevo并规划1GW单晶电池工厂;茂迪、昱晶及旭泓等台系电池厂纷纷扩张单晶硅电池产能;保利协鑫

市场观察:近期单晶产品崛起 但多晶仍将继续领跑来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2016-03-08 10:56:44

转换效率较高,主流产品可达到19.5%,但因为单晶硅片的价格也更高,综合来看,仍然是多晶硅片更具性价比优势。 图2 典型分布式光伏电站的成本构成 在看国内光伏电站建设成本,支架、直流电
多晶、单晶电池转换效率的差别在1.2%左右(多晶18.3%和单晶19.5%),这种情况下,多晶、单晶硅片成本差小于0.16元/Wp时,电站终端选择单晶产品才会有系统成本优势。 图3 单、多晶电池

近期晶硅市场深度分析 多晶仍将领跑来源: 发布时间:2016-03-08 00:08:59

,主流产品可达到19.5%,但因为单晶硅片的价格也更高,综合来看,仍然是多晶硅片更具性价比优势。图3 单、多晶电池效率差别与允许硅片成本差在看国内光伏电站建设成本,支架、直流电缆、人工等与组件效率相关的
在1.2%左右(多晶18.3%和单晶19.5%),这种情况下,多晶、单晶硅片成本差小于0.16元/Wp时,电站终端选择单晶产品才会有系统成本优势。图4 多晶硅片技术发展路线图不仅如此,随着多晶硅片产业链各

近期单晶产品崛起 但多晶仍将继续领跑来源:PV-Tech 发布时间:2016-03-06 23:59:59

差别。虽然单晶电池转换效率较高,主流产品可达到19.5%,但因为单晶硅片的价格也更高,综合来看,仍然是多晶硅片更具性价比优势。在看国内光伏电站建设成本,支架、直流电缆、人工等与组件效率相关的成本占比为
%左右(多晶18.3%和单晶19.5%),这种情况下,多晶、单晶硅片成本差小于0.16元/Wp时,电站终端选择单晶产品才会有系统成本优势。不仅如此,随着多晶硅片产业链各环节的技术发展,预期多晶硅片的成本

【干货】晶硅光伏电池漏电的主要因素分析来源:索比光伏网作者:李吉 靳迎松等 发布时间:2016-01-27 23:59:59

半导体材料为基础进行能量转换。目前,ink"光伏行业中晶体硅太阳能电池还是占主导位置。晶体硅太阳电池主要分为两种,一种是将圆柱形的单晶硅棒切割成单晶硅片;一种是通过铸锭方式生成多晶硅片。单晶硅棒和
可能造成漏电如图9所示,Si3N4颗粒主要来源:1)铸造多晶硅时在坩埚表面喷涂的Si3N4脱落融入硅锭所致;2)镀膜时SiH4的含量偏高,形成Si3N4颗粒。Si3N4颗粒的晶粒贯穿电池片的层错,使PN

晶体硅电池漏电原因都有哪些?来源:索比光伏网 发布时间:2016-01-27 13:32:42

分为两种,一种是将圆柱形的单晶硅棒切割成单晶硅片;一种是通过铸锭方式生成多晶硅片。单晶硅棒和多晶铸锭的质量很大程度上可以影响晶体硅电池片的质量。随着晶体硅电池利用的日益广泛,晶体硅太阳电池局部漏电问题