单晶生长设备

瓦(MW级)薄膜电池及组件生产能力。 建成光伏材料及设备制造基地 围绕太阳能光伏发电产业，大力发展高纯硅料、多晶硅锭片、单晶硅及晶圆、太阳能电池硅基薄膜、太阳电池配套产业，已经势在必行
。 二、酒泉光伏发电产业发展综述 深蓝色的多晶硅，不仅仅让枯黄的戈壁有了亮丽的色彩，也有了勃勃生机。万物生长靠太阳，那么深蓝色的晶片，为何要选择身处内陆的敦煌，选择敦煌沉寂千年的戈壁大漠呢

于硅单晶的生长，这种拉晶技术已经成为现代生产高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。 然而

贝克雷尔就在液体中发现了光生伏特效应。直到20世纪，人们才发现硅具有光电响应的性质。1950年，科学家蒂尔和里特尔将切克劳斯基在1917年发明的拉晶技术应用于硅单晶的生长，这种拉晶技术已经成为现代生产
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶

贝克雷尔就在液体中发现了光生伏特效应。直到20世纪，人们才发现硅具有光电响应的性质。1950年，科学家蒂尔和里特尔将切克劳斯基在1917年发明的拉晶技术应用于硅单晶的生长，这种拉晶技术已经成为现代生产
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶

钝化区域的面积。两者的区别在于是否在开口区域进行局部掺杂扩散，局部扩散增加工艺难度，但会形成局部背电场，减少接触部分的复合速率。但高品质氧化硅的生长需要较高的温度，对于已经经过高温扩散的硅片来说，为减少
的改进和设备的进步，例如解决高速沉积AlOx的问题，氧化铝本身的不稳定性以及良品率较低等问题。钝化接触，第三次进化PERC以及PERL结构的电池已经拥有相对完善的表面钝化结构，不过将背面的接触范围限制

，其中单晶生长炉销售81台同比下降69.32％；多晶铸锭炉销售13台同比下降68.29％。销量下降导致收入下降65.17％，在费用相对刚性的情况下，净利润同比下滑75％。报告期内公司深化与重点客户合作，对
长197.31％，净利润同比下降14.67％，降幅明显下降，环比则增91.45％，均验证公司景气复苏的趋势。区熔炉研制已获突破，静待大单带动业绩增长。2013年公司成功研制直拉区熔单晶炉，拉晶速度较传统设备提高

％。2013年光伏行业复苏初期，下游企业扩产动力不足，设备需求持续低迷，公司产销量明显下降，其中单晶生长炉销售81台同比下降69.32％；多晶铸锭炉销售13台同比下降68.29％。销量下降导致收入下降

绿色产业集聚区投资6.1亿元建设1GW高效单晶组件项目。业内人士预计，单晶电池将引领高效光伏市场，今年来越来越多的太阳能电池厂商宣布扩大单晶组件产能。 随着单晶生长发展、金刚线薄片化普及与单晶

III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点
晶硅系统，其电力输出不太受环境温度影响，在气候炎热的地区比较有安装优势。从生产制造环节来看，高倍聚光的初始设备投资相对于其他光伏技术（如晶硅）是比较低的，尽管存在不同的高倍聚光设计和生产工艺路线。美国

，这种材料不仅地面聚光光伏使用，在太空上也已经是成熟的应用了。这种器件是利用产出效率很高的气相外延生长设备(MOCVD)生产的，这种结构中的材料是跟Ge晶格匹配的，因此这种结构的材料晶体质量非常高
）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点评述。 越来越多的高倍聚光系统采用的是高聚光比的模组，也就是使用高效的