区熔

温度梯度使硅锭从熔体底部向顶部开始长晶。3.硅液溢流自动保护技术在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线，在意外情况下，硅液流出坩埚，从下面隔热层的开口处流到下面腔室地板上的保护铝垫上，硅液会熔化铝垫上的
亿元人民币，是我国真空晶体生长设备（包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等）研发制造于一体的专业生产厂家。单晶硅拉制、多晶硅铸锭设备2、上海汉虹8英寸135KG装料量单晶生长炉（拉制）由

专注于半导体硅材料的研发、生产和制造，是公司的主业，IC半导体材料不但没有做不下去，而且做得非常好。在全球范围内我们的区熔单晶硅（FZ）综合实力排名前三，2010年我们的市场份额为12%至18
%，2011年底我们占全球区熔单晶硅（FZ）市场份额约为20%。《投资者报》：国内做半导体的企业不少，为何是中环率先掌握最领先的技术，你认为中环技术上的优势主要来自于哪些方面？安艳清：一方面来自公司这些年

，一个最重要的工艺是将多晶硅料变成单晶硅棒，这需要经过一道叫做直拉（CZ）或区熔（FZ）的工艺，前者生产出来的产品叫直拉单晶硅，后者叫区熔单晶硅。两个工艺都要用到炉子，前一技术用的是直拉炉，后一技术用

，公司专注于半导体硅材料的研发、生产和制造，是公司的主业，IC半导体材料不但没有做不下去，而且做得非常好。在全球范围内我们的区熔单晶硅（FZ）综合实力排名前三，2010年我们的市场份额为12%至18
%，2011年底我们占全球区熔单晶硅（FZ）市场份额约为20%。　　记者：国内做半导体的企业不少，为何是中环率先掌握最领先的技术，你认为中环技术上的优势主要来自于哪些方面？　　安艳清：一方面来自公司这些年

提升杆支撑不锈钢笼。3个石墨杆从下腔室支撑巨大的石墨块。3个提升杆能上下提升隔热笼，露出DS-Block底部，从而冷却下腔室的四壁。这样热场内就形成了一个竖直的温度梯度使硅锭从熔体底部向顶部开始长晶
系数和整个系统的有效功率。北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日，并于2008年10月31日改制为股份有限公司，注册资金3.7亿元人民币，公司总资产达17亿元人民币，是我国真空晶体生长设备（包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等）研发制造于一体的专业生产厂家。

，由3个隔热层提升杆支撑不锈钢笼。3个石墨杆从下腔室支撑巨大的石墨块。3个提升杆能上下提升隔热笼，露出DS-Block底部，从而冷却下腔室的四壁。这样热场内就形成了一个竖直的温度梯度使硅锭从熔体底部向
提高功率的转换系数和整个系统的有效功率。北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日，并于2008年10月31日改制为股份有限公司，注册资金3.7亿元人民币，公司总资产达17亿元人民币，是我国真空晶体生长设备（包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等）研发制造于一体的专业生产厂家。

。这样热场内就形成了一个竖直的温度梯度使硅锭从熔体底部向顶部开始长晶。　　3.硅液溢流自动保护技术 在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线，在意外情况下，硅液流出坩埚，从下面隔热层的开口处流到下面腔室
为股份有限公司，注册资金3.7亿元人民币，公司总资产达17亿元人民币，是我国真空晶体生长设备（包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等）研发制造于一体的专业生产厂家。　　转载请注明出处：世纪新能源网 或 Ne21.com

索比光伏网讯:日前，中环股份发布了晶硅材料三类新产品，国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用单晶硅和8英寸〈110〉晶向直拉单晶硅。据悉，这三项技术的成功突破，打破了国外对8英寸区熔

筹码。会后公司董秘安艳青接受记者采访时表示，公司会根据实际发展，在合适的时机重启再融资。当天的新闻发布会上，公司研发人员详细介绍了三大新产品8英寸区熔硅单晶、8英寸110晶向直拉硅单晶、CFZ(直拉区

索比光伏网讯:近日，天津中环半导体股份有限公司(以下简称中环股份)在天津召开的新品发布会上，对外公布了三项新产品，分别为8英寸区熔单晶硅、8英寸110晶向直拉单晶硅以及CFZ(直拉区熔技术)高效光伏