区熔

重点议题。　　逆市推新品　　12月22日，天津中环半导体股份有限公司一气发布了三款新产品。这次向外界公布的是中环股份(002129,股吧)自主研发的8英寸区熔硅单晶、CFZ高效太阳能电池用硅单晶、8英寸
意图。在一份名为《CFZ高效太阳能电池硅单晶》的说明书中，中环股份指出，技术领先的产品可以促成自身在行业内的差异化竞争，目前区熔产业化生产和CFZ技术已经是国内独占。　　CFZ太阳能电池硅单晶研发团队

推新品 12月22日，天津中环半导体股份有限公司一气发布了三款新产品。这次向外界公布的是中环股份自主研发的8英寸区熔硅单晶、CFZ高效太阳能电池用硅单晶、8英寸晶向直拉硅单晶。中环股份总经理沈浩平表示
》的说明书中，中环股份指出，技术领先的产品可以促成自身在行业内的差异化竞争，目前区熔产业化生产和CFZ技术已经是国内独占。CFZ太阳能电池硅单晶研发团队在发布会上演示了产品的化学工艺。团队人员提到

索比光伏网讯:天津中环半导体股份有限公司（以下简称中环股份）22日下午在天津召开新品发布会，对外公布了三项新产品：包括国内首颗8英寸区熔硅单晶、（110）晶向直拉硅单晶以及CFZ高效太阳能电池硅单晶
硅单晶生长上有两种技术，分别为直拉和区熔法。由于方法工艺不同区熔做到6英寸以上尚存巨大难度。区熔产品是IGBT的主要材料，可应用于电力电子领域、光电子、探测器领域和太阳能电池应用领域。　　资料显示，目前

全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求，利用多年在半导体级直拉区熔(CFZ)晶体生长技术（公司独有专利，专利号:ZL00105518.6）的持续研发和专业经验，成功研发了适用于太阳能单晶的新型直拉区

材料的研发、生产和销售等为主业的公司，10月12日发布公告，公司的全资子公司天津环欧半导体材料技术有限公司， 针对未来全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求，利用多年在半导体级直拉区熔（CFZ
）晶体生长技术（公司独有专利，专利号: ZL00105518.6）的持续研发和专业经验，成功研发了适用于太阳能单晶的新型直拉区熔法单晶（CFZ单晶）硅片，并已申请发明专利。公告同时称，采用CFZ级硅片将使

旺盛，因此半导体器件和硅材料的市场需求量都很大。中投顾问发布的《2011-2015年中国单晶硅产业投资分析及前景预测报告》中显示，我国区熔硅单晶行业产量呈现快速增长的趋势，2009年产量为71.54吨
，2010年1-5月份达到39.12吨。同比增长8.42%。2009年区熔硅单晶行业市场容量达到118.74吨。同比增长4.56%，2010年1-5月份为68.91吨，同比增长18.14%。上述分析师

发布公告，公司的全资子公司天津环欧半导体材料技术有限公司， 针对未来全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求，利用多年在半导体级直拉区熔（CFZ）晶体生长技术（公司独有专利，专利号
: ZL00105518.6）的持续研发和专业经验，成功研发了“适用于太阳能单晶的新型直拉区熔法单晶（CFZ单晶）硅片”，并已申请发明专利。 　　公告同时称，采用CFZ级硅片将使太阳能电池的转换效率提高至24%-26

延迟交货的情况。预计到明年下半年，目前的状况能够缓和。公司的区熔单晶炉被列入国家02专项攻关项目。区熔炉主要用于半导体领域，是军事和空间技术等高端领域所需产品，市场缺口很大。区熔法生长的单晶硅转换效率

如中环股份11月21日公告，由于经营环境发生较大变化，撤回2011年度定向增发申请文件。而去年5月公司公布定增预案，拟融资11亿元投资IGBT及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目，以及绿色

投资“IGBT及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目”，以及“绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目”。　　又如天威保变(600550,股吧)、川投能源(600674,股吧)11