区熔

披露了定增预案。彼时，公司计划以不低于17.99元/股的发行价格，发行不超过16676万股，筹资不超过30亿元，用于其募投项目：CFZ单晶用晶体硅及超薄金钢石线单晶硅切片项目、CFZ区熔单晶硅及金钢石线
556万股。 关于募投项目，公告书介绍，CFZ单晶用晶体硅及超薄金刚石线单晶硅切片项目总投资 为14.7亿元(固定资产投资13.5亿元，铺底流动资金约1.3亿元)；CFZ区熔单晶硅及金刚石线切片

索比光伏网讯:多晶硅铸锭通常分为加热、熔料、高温稳定、结晶、退火、冷却等六个阶段。本文介绍加热和熔料两个过程。（一）加热准备 装好料后，再对炉内进行一遍检查，即可开炉。一般来说，要先对炉子进行抽真空
上升，而坩埚由于是采用石英材质的，一旦温度超过1600 ℃以上，将很容易与硅发生反应，造成坩埚侵蚀；如果温度再上升到1700 ℃，则坩埚会与硅发生剧烈反应，导致硅液飞溅，坩埚熔穿。严重时，硅液甚至会溅

。解决的方法，依然应当是高温保持，确认硅料熔化。而且在熔化后，最好还是在高温区再等待一段时间，因为，我们的观察窗口仅仅能观察到坩埚表面的很小一片，在周围可能还有不少未熔化的硅粉。当粉料的粉粒全部溶化时，粉料的冶炼就应当与块料完全一样了。 原标题:史珺博士谈多晶硅铸锭的加热和熔硅过程

半导体产业的整体盈利，同时在完成以02专项为代表的区熔单晶硅片产业化技术与国产设备研制项目基础技术研发、产品研发工作基础上，进一步提升理论产能、设备稼动率以及高品质的工艺流程优化，提升自动化水平

变动分析表2、其它(1)公司前期各类融资、重大资产重组事项实施进度分析说明报告期内，公司首次公开发行股票募集资金投资项目已建成1#和3#厂房，主要功能为多晶硅锭生产（多晶硅片前道生产环节）和区熔
推动作用。2、着重技术创新，有效控制成本公司对单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔单晶硅炉的研究一直给予充分的重视及投入，在北京设有技术研发中心，专门跟踪光伏及半导体产业的发展动态和从事光伏及半导体

结、高倍聚光电池等虽然其光电转换效率能达到40%以上，但受制于成本高等原因，尚难大批量采用。而多晶硅转换效率为15%~18%，直拉单晶为18%~20%，区熔法制单晶电池能达到25%以上。不难看出

高效电池理想硅片技术之一。公司自主研发的CFZ技术兼具区熔和直拉硅片的特点,具有片间参数高斯分布集中、超低氧含量(不衰减)、高寿命、低缺陷(高效率),低成本等优点。目前公司CFZ硅片出货量较低,未来随着
熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展

于成本限制等原因，尚难大批量采用。而多晶硅为15%-18%；直拉单晶为18%-20%；区熔法制单晶电池能达到25%以上。但区熔法制单晶电池成本较高，不宜推广。值得一提的是，天津中环半导体股份公司推出的

受制于成本限制等原因，尚难大批量采用。而多晶硅为15%-18%；直拉单晶为18%-20%；区熔法制单晶电池能达到25%以上。但区熔法制单晶电池成本较高，不宜推广。值得一提的是，天津中环半导体股份公司推出