化合物薄膜电池
III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的大阳能电池；4、纳米晶太阳能电池等。
一、硅太阳能电池
1．硅太阳能电池工作原理与结构
太阳能电池发电的
上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。 上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气
》、《中国电子报》、《化合物半导体与光电技术》、《新能源产业DM》、《中国太阳能光伏》、《化学与物理电源系统》、《电源技术应用》、《电子工业专用设备》、《太阳能发电》、、《新材料产业》、《建筑节能
、自动化系统、焊带切割设备、停放台、装配线、组件装卸系统、
运送装置、焊剂熔化炉
薄膜电池光学检测系统、薄膜电池厚度测量器、薄膜电池成分检测器,、薄膜电池寿命分析器、
薄膜电池等离子体化学
随着铜铟镓硒(CIGS) 薄膜电池的领导者First Solar的壮大，CIGS被业界鼓吹为下一代薄膜技术，CIGS技术在快速成长，关键的吸收层材料铟（indium）成长更快。一份来自
硒化合物和铟氧化物墨水的印刷。铟的印刷和电镀到2016年将占CIGS光伏中铟总耗量的约28%，达52.3MT。NanoMarkets还表示，铟用于ITO的耗量将从2011年的13MT上涨到2016年的39.4MT。 (编辑:xiaoyao)
随着铜铟镓硒(CIGS) 薄膜电池的领导者First Solar的壮大，CIGS被业界鼓吹为下一代薄膜技术，CIGS技术在快速成长，关键的吸收层材料铟（indium）成长更快。一份来自
开发，目前利用溅射靶和蒸镀片的方法将慢慢发生改变。未来将转向铟的盐类物质电镀和铟的纳米粒子、铟硒化合物和铟氧化物墨水的印刷。铟的印刷和电镀到2016年将占CIGS光伏中铟总耗量的约28%，达52.3MT。
NanoMarkets还表示，铟用于ITO的耗量将从2011年的13MT上涨到2016年的39.4MT。
产量达到3436MW，较2006年增长56%，2008年全球太阳能电池产量高达6850MW，增速近100%。
太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池等
。其中，硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。但由于在过去的几年中，国际多晶硅现货价格猛涨，一度从2005年的35美元公斤攀升至2008年的480美元公斤，因此价格低廉的薄膜电池得到
产量达到3436MW，较2006年增长56%，2008年全球太阳能电池产量高达6850MW，增速近100%。 太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能
电池等。其中，硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。但由于在过去的几年中，国际多晶硅现货价格猛涨，一度从2005年的35美元/公斤攀升至2008年的480美元/公斤，因此价格低廉的薄膜电池
需用成本极高的高纯石英坩锅，因此1998年起多晶硅(理论上光电转换效率为18%左右)市场份额逐渐超过单晶硅，成为市场的主流。 第二类是薄膜涂层电池，包括非晶体硅(a-Si)电池和化合物半导体电池
(砷化镓GaAs、碲化镉CdTe、硒铟铜 CuInSe、铜铟镓硒CIGS等)两个细分类型，在薄膜电池中各占据半壁江山；薄膜电池是利用非常薄的感光材料制成，附着或涂层于廉价的玻璃、不锈钢或塑料衬底上，技术造价
近日从南开大学信息技术科学学院获悉，“国家863铜铟硒太阳能薄膜电池中试基地”中试工艺设备与大面积材料和器件开发日前取得了重大进展，成功研制出有效面积为804cm2的玻璃衬底铜铟镓硒太阳电池
制造的主要核心技术，完成了实验室小面积太阳电池技术向大面积中试技术的跨跃，为自主知识产权生产线开发奠定了良好的基础。铜铟镓硒薄膜太阳电池是多元化合物半导体光伏器件，具有敏感的元素配比和复杂的多层结构，因此
日前，记者从南开大学信息技术科学学院获悉，由南开大学和天津保税区投资公司在滨海新区合作建立的“国家863铜铟硒太阳能薄膜电池中试基地”中试工艺设备与大面积材料和器件开发取得了重大进展，成功
太阳电池设备、工艺，以及电池组件制造的主要核心技术，完成了实验室小面积太阳电池技术向大面积中试技术的跨跃，为自主知识产权生产线开发奠定了良好的基础。 铜铟镓硒薄膜太阳电池是多元化合物半导体
量降低到6g/W。再加薄膜电池的迅速发展，也将进一步缓解多晶硅硅料的供应形势。 二、拉棒切片 多晶硅料需要转化成单晶硅棒或多晶晶锭后才能把它进一步加工成硅片、电池和组件。单晶硅棒
机电产品为其配套。低铁玻璃由于具有透光率高、反光率低、机械强度大和耐腐蚀等特点，被广泛应用于光伏组件的基板材料。硅烷是生产单晶硅、多晶硅、非晶硅等一系列含硅化合物的基本材料。在等离子增强化学气相沉积工艺中
