功率半导体

复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变

产品市场需求将继续扩大，未来技术进步仍将是产业发展的主题。预计产业化生产的P型PERC单晶和N型PERT单晶电池转换效率均将超过22%，主流组件产品功率将达到310W以上;普通电池技术将逐渐被使用PERC技术
，全球多晶硅产量受光伏市场影响，产量近20年来呈首次下滑态势，仅为43万吨，同比下降2.7%，但电子级多晶硅受半导体硅片价格上涨所影响，市场需求较为紧俏，产量同比增幅达到10%以上。我国多晶硅开工企业

颇高，这有益于光伏产品的推广。 【组件】 NO.2晶科能源Cheetah猎豹系列组件 晶科能源今年推出的Cheetah猎豹系列组件，其72片单晶组件输出功率最高达到410W，首开400W
正方形，消除了传统单晶组件的封装留白，组件有效面积提升1.21%，功率平均提升8瓦;第二，结合半片电池技术之后，组件功率可再提升7瓦，而且功率受温度影响显著降低，实际发电量可再次提高1.5%，还可以减少

可大幅降低成本。 报道称，已确认置于上方的氧化亚铜太阳能电池可透光，使下方设置的晶硅太阳能电池维持高功率输出。据称，在制备氧化亚铜薄膜时，通过精密控制氧气量，实现了以往很困难的透明化。 目前把不同
性质的太阳能电池组合起来的多结产品使用镓砷半导体等。用氧化亚铜太阳能电池替代的话，东芝预计制造成本可降至0.1%～1%。 东芝现在自产的晶硅太阳能电池的能量转换效率为17.6%。公司力争3年后借助使用氧化亚铜的多结太阳能电池将转换效率提高到30%。

电动汽车、混合动力汽车、燃料电池等新能源整车以电池、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备。重点支持电动车用大功率IGBT芯片及碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管

、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备。重点支持电动车用大功率IGBT芯片及碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运

计量单位 备注 1 各种半导体材料 5090.00 包1-光伏组件 4.交货期和地点：2019年3月31日、公司各站场 5.投标人的基本资格要求： 5.1具有独立订立合同的权利和履行合同的能力
光伏板组件至少有2项合同业绩。提供合同扫描件。 2.要求投标的光伏组件必须为P型最大功率在290W及以上的单晶硅光伏组件，选择英利、天合、隆基乐业或同等质量品牌的一流产品，质量符合光伏组件技术要求

带市场将逐步萎缩，但据Solarbe采访的焊带企业表示，他们也已准备好了替代技术。 叠瓦组件可并联设计的特性使其天然成为一款智能组件，可能会削弱功率优化器的价值。这项技术2008年起由美国国家半导体
，可能会被新的技术或工艺取代，目前已经有许多企业采用包边方法。 目前新型组件尤其是叠瓦组件和MWT组件，都采用了去焊带化得设计，除了使组件拥有更高功率之外，还能解决焊带造成的许多性能短板，所以在未来焊

。 (2)低压硼扩选择性掺杂技术;轻掺杂区域表面浓度低至1E19cm-3，表面复合小，钝化后饱和电流密度J020fA/cm2，然后采用激光对金属-半导体接触区域进行重掺杂。 (3)化学回蚀清洗技术
/SiNx叠层膜相比具有更加好的减反射性能和钝化性能。 (5)低损伤金属化接触技术;采用优化的金属浆料体系和双层金属电极结构，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合

一步获得功率增益10~25W，令度电成本降低幅度超过20%。在2018年第三批应用领跑者八大基地38个项目招标中，双面技术共计申报54次，合计中标2.58GW，占比52%，其中PERC+双面
、Q4末多晶硅年产能将分别达到3.5万吨、7万吨，且全部产能均位于中国电力成本最低的新疆地区，成本优势显著，大概率将成为未来全球多晶硅行业核心龙头供应商之一。 此外，建议关注单晶与半导体硅片龙头