准单晶硅片

1GW领跑者基地获批实施，2016年的领跑者基地或将超过4GW装机，以及宁夏、准东新能源基地等部分地区要求采用领跑者组件，2016年或将有超过6GW的领跑者组件需求。按照2016年20GW量级的年装机量
0.6%。晋能科技将一条80100MW的生产线改造并引入PERC技术，目前处于中试阶段。（部分数据来源：Bloomberg）PERC，更青睐单晶单晶硅片和多晶硅片都可以应用PERC技术。PERC技术应用

(Passivated Contact)技术。 假设我们能找到这样一种材料或结构，其满足(1)拥有良好的表面钝化效果;(2)分离准费米能级;(3)可以高效传输一种载流子。那么就可以把这一结构用于电池的表面，形成
型单晶硅片，正面首先沉积很薄的本征非晶硅层，作为表面钝化层，然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层，二者共同构成正面空穴传输层。沉积后，硅片靠近表面由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，电子只能向后表面移动

满足(1)拥有良好的表面钝化效果；(2)分离准费米能级；(3)可以高效传输一种载流子。那么就可以把这一结构用于电池的表面，形成即满足钝化要求，又无需开孔即可传输电流的钝化接触。德国弗劳恩霍夫太阳能
。下面，我们用选择性接触的理论解释一下松下异质结(HIT)电池的原理。HIT电池吸收层采用n型单晶硅片，正面首先沉积很薄的本征非晶硅层，作为表面钝化层，然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层，二者共同构成正面空穴

课题。在目前的制造工艺中，单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法，硅表面形成随机金字塔结构，可对太阳光进行两次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面
团队合作完成的。上述工作获得了国家自然科学基金及中国科学院的支持。 图1：金属铜纳米颗粒催化化学刻蚀法制备大面积均匀倒金字塔绒面结构。（a）浸泡在刻蚀液中的156 x 156 mm2工业用单晶硅片（上

10MWp）。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，碳、氧含量分别小于10和
要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5s，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11s，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别

《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，碳、氧含量分别小于10和16PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；3.

能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，碳

应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，碳、氧含量分别小于10和16PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，碳

/T25074）1级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，碳、氧含量分别小于16和14PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，碳、氧含量分别小于2和18PPMA；3.多晶硅电池和单晶硅电池的