光衰

使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤
产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走
。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM

，当前的单晶产品仍以P型为主，而P型单晶产品先天上存在着电池封装成组件损失（Cell to Module Loss）较高、光衰（LID）也高的劣势。若以PERC工艺生产电池，虽然转换效率大幅提升，但光

长期可靠性方面，单晶电池初始光衰会快速恢复，1年内会趋于平稳。而多晶电池随着光照时间的延长电池性能持续衰退没有输出功率恢复情况发生。单晶的长期衰减水平明显低于多晶。三、总结单晶硅行业市场调查分析报告显示
和产业升级的意见》，提出实施光伏领跑者计划，推广高效光伏组件，要求多晶硅和单晶硅光伏组件的光甴转换效率应分别达到16.5%和17%以上。根据我国首个领跑者计划示范项目大同采煤沉陷区先迚光伏技术示范基地

条件下单晶累计发电量比多晶高10.06%。 报告指出，在电站长期可靠性方面，单晶电池初始光衰会快速恢复，1年内会趋于平稳。而多晶电池随着光照时间的延长电池性能持续衰退没有输出功率恢复情况发生。单晶的长期
光伏技术产品应用和产业升级的意见》，提出实施光伏领跑者计划，推广高效光伏组件，要求多晶硅和单晶硅光伏组件的光甴转换效率应分别达到16.5%和17%以上。 根据我国首个领跑者计划示范项目大同采煤沉陷区先迚

单晶产品先天上存在着电池封装成组件损失（CelltoModuleLoss）较高、光衰（LID）也高的劣势。若以PERC工艺生产电池，虽然转换效率大幅提升，但光衰也会从一般的2%左右飙高至3~6%。而N

，而P型单晶产品先天上存在着电池封装成组件损失（CelltoModuleLoss）较高、光衰（LID）也高的劣势。若以PERC工艺生产电池，虽然转换效率大幅提升，但光衰也会从一般的2%左右飙高至3~6

研发和推广应用成为历史。近年来，随着单晶降氧工艺技术的进步，单晶中的氧含量大幅降低，低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示，低氧单晶组件平均光衰低于普通多晶组件40.5%，低于普通单晶组件62.1