光致衰减
目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N型
发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高，P型电池的效率瓶颈已越发明显。N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和稳定性
Taiwan会展公布，其Black 21电池已得到台湾工业技术研究院(ITRI)的认证，转换效率达到21.1%。同样采用单晶PERC工艺，Black 21电池降低了光致衰减(LID)，低于正常的p型
，研究结果表明，单晶电池在初期2-3个月的光照情况下，光致衰减达到峰值，一般为3%左右，称为初始光衰（LID）现象，含氧量较低的单晶电池初始光衰比较低。由于单晶独特的材料性质，在继续接受光照3-4个月之后
可分为三类：第一类，由于破坏性因素导致的组件功率衰减；第二类，组件初始的光致衰减；第三类，组件的老化衰减。其中，第一类是在光伏组件安装过程中可控制的衰减，如加强光伏组件卸车、倒运、安装质量控制可降低组件
因素导致的组件功率衰减；第二类，组件初始的光致衰减；第三类，组件的老化衰减。其中，第一类是在光伏组件安装过程中可控制的衰减，如加强光伏组件卸车、倒运、安装质量控制可降低组件电池片隐裂、碎裂出现的概率等
光致衰减；第三类，组件的老化衰减。其中，第一类是在光伏组件安装过程中可控制的衰减，如加强光伏组件卸车、倒运、安装质量控制可降低组件电池片隐裂、碎裂出现的概率等。第二类、第三类是光伏组件生产过程中亟需解决的
索比光伏网讯:光致衰减现象原理光致衰减现象主要发生在掺硼的晶硅电池组件上，这个问题最早是由Fischer和Pschunder在1973年发现的，到2004年J.Schmidt研究结果认为硼氧对是形成
光衰的主要原因，掺硼晶硅中的替位硼和间隙氧在光照下激发形成的较深能级缺陷引起载流子复合和电池性能衰退。依据文献结果，光致衰减幅度在3%左右。单晶和多晶光衰表现不一致，单晶硼氧对的生成原理如下：研究结果
光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时。 展望2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的
效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦
）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时
