光电子器件

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中信博与上海交通大学太阳能研究所开展技术合作来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2016-05-20 16:03:04

战略合作协议。沈文忠教授在半导体光谱与光电子器件物理、新型太阳电池研发等领域均具有深入的研究,沈教授表示,现行的光伏电池和光伏组件市场重点均在单面电池上,而单面电池组件的效率及成本都到达了一个很成熟的阶段

河北省出台新材料产业发展2016年推进计划 建设光伏产业在内六大产业基地来源:科技部 发布时间:2016-04-20 14:05:37

,打造3条产业链:晶体硅 →硅片、光伏玻璃 →电池片、EVA/背板 →光伏组件;液晶材料、玻璃基板→平板显示器件;固体发光材料→光电子器件→LED应用产品。 现代化工新材料方面,打造2条产业链

河北省出台新材料产业发展2016年推进计划来源:科技部 发布时间:2016-04-20 09:12:36

硅片、光伏玻璃电池片、EVA/背板光伏组件;液晶材料、玻璃基板平板显示器件;固体发光材料光电子器件LED应用产品。现代化工新材料方面,打造2条产业链:热塑性复合材料专用料热塑性复合材料制品热塑性复合材料汽车及

【光伏毕业生推荐】甘肃有色冶金职业技术学院2014级光伏发电技术与应用专业来源:阳光工匠光伏网 发布时间:2016-03-02 23:59:59

主干课程为:电路分析与测试、电力电工技术、光学基础、半导体器件物理、太阳能电池原理与工艺、光电子技术基础、光伏组件生产封装技术、光伏电池制造技术、光电子器件原理及应用、太阳能光伏发电拖动技术、太阳能光伏

协鑫集成系列公告 公布投资议案并增资子公司来源: 发布时间:2016-02-26 09:22:59

伏科技有限公司2、住所:徐州经济技术开发区杨山路98号3、法定代表人:许天长4、注册资本:30,000万元5、经营范围:太阳能光伏材料、太阳能发电设备及配件、太阳能组件及配件、太阳能电池片及配件、光电子器件
(光伏设备及元器件、辅材等),销售自产产品。光伏设备、太阳能、电能的研发,技术咨询、技术服务、技术转让;从事上述同类产品及煤炭的批发和进出口业务。成立日期:2011年01月28日。注册地址:张家港

协鑫集成公布《第三届董事会第二十一次会议决议公告》来源:中证网 发布时间:2016-02-26 09:02:57

、法定代表人:许天长 4、注册资本:30,000万元 5、经营范围:太阳能光伏材料、太阳能发电设备及配件、太阳能组件及配 件、太阳能电池片及配件、光电子器件、电子产品的研发、制造、销售;太阳能发电
)光伏科技有限公司 瑞峰(张家港)光伏科技有限公司,法定代表人许天长,注册资本6,479万美元,主要从事研发、生产光伏组件(光伏设备及元器件、辅材等),销售自产产品。光伏设备、太阳能、电能的研发

协鑫集成科技股份有限公司第三届董事会第二十一次会议决议公告来源:中证网 发布时间:2016-02-25 23:59:59

:太阳能光伏材料、太阳能发电设备及配件、太阳能组件及配件、太阳能电池片及配件、光电子器件、电子产品的研发、制造、销售;太阳能发电系统设计、安装、调试、维护;电力技术咨询、服务;电力建设工程施工;自营或
峰(张家港)光伏科技有限公司,法定代表人许天长,注册资本6,479万美元,主要从事研发、生产光伏组件(光伏设备及元器件、辅材等),销售自产产品。光伏设备、太阳能、电能的研发,技术咨询、技术服务

协鑫集成与中天科技签署协议 达成战略合作伙伴关系来源:索比光伏网 发布时间:2016-02-23 12:03:20

、有源器件、无源器件及其他光电子器件、高低压成套开关电器设备、变压器、天线、通信设备、输配电及控制设备、光纤复合架空地线、光纤复合相线、光纤复合绝缘电缆、陆用光电缆、海底光电缆、海洋管道、射频电缆、漏泄

协鑫集成发布关于签署战略合作框架协议的公告来源: 发布时间:2016-02-23 08:16:59

器件及其他光电子器件、高低压成套开关电器设备、变压器、天线、通信设备、输配电及控制设备、光纤复合架空地线、光纤复合相线、光纤复合绝缘电缆、陆用光电缆、海底光电缆、海洋管道、射频电缆、漏泄电缆、铁路信号
中天科技股份有限公司法定代表人:薛济萍注册资本:104430.8426万元人民币注册地:江苏省如东县河口镇中天村主营业务:光纤预制棒、光纤、光缆、电线、电缆、导线、铁路用贯通地线、金具、绝缘子、避雷器、有源器件、无源

中科院半导体所等成功制备立式InSb二维单晶纳米片来源:世纪新能源网 发布时间:2016-02-18 23:59:59

研究成果。在III-V族半导体中,InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g 因子,是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的
晶等缺陷。其长度和宽度达到微米量级(大于10微米)、厚度可薄至10纳米。徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件器件具有明显的双极性特征,低温下场效应迁移率近20000 cm2